IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; VFBGA48

Немає в наявності
Код товару: IS62WV51216EBLL-45BLI
311,07 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 480
Крок додавання: 480
Код товару: IS62WV51216EBLL-45BLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: VFBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 8Мб SRAM
Робоча напруга: 2,2...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 512Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 45нс
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.8mm; GKS-112; CuBe; 0.8N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.8mm; GKS-112; CuBe; 0.8N; push-in; 20mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,8мм
Недоступний
Діод: зенера; 1,25Вт; 120В; DO41; 1мкА; Ufmax: 1,2В
Діод: зенера; 1,25Вт; 120В; DO41; 1мкА; Ufmax: 1,2В

427,02 грн

Допуск:
±1%
Зенерівська напруга:
120В
Корпус:
DO41
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 866Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB
Резистор: thin film; 866Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB

3,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805

28,51 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 5A/250ВAC; SPST-NO; OFF-(ON); Поз: 2
Мікроперемикач SNAP ACTION; 5A/250ВAC; SPST-NO; OFF-(ON); Поз: 2

50,05 грн

Виводи:
конектори
Властивості перемикачів:
з важелем, що симулює ролик
Електрична стійкість:
50000 цикли
Кількість всіх позицій:
2
Недоступний
Резистор: thick film; 576кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 576кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В

0,73 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28; паралельний

1739,74 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28; 330mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28; 330mils

345,92 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 32Кx18бит; 5В; 12нс; SOJ44; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 32Кx18бит; 5В; 12нс; SOJ44; -40÷85°C

159,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
512кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

472,00 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
8Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

94,40 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 55нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 55нс; паралельний; 0÷70°C

1828,44 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

1194,88 грн