IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48

Немає в наявності
Код товару: IS64WV51216BLL-10MLA3
1158,14 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 210
Крок додавання: 210
Код товару: IS64WV51216BLL-10MLA3
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TFBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 8Мб SRAM
Робоча напруга: 2,4...3,6В
Робоча температура: -40...125°C
Структура пам'яті: 512Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Резистор: thin film; 133Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 133Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%

126,71 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 27Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 27Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 5А; 5A/250ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 5А; 5A/250ВAC

31,68 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
100000 цикли
Кількість пін:
4
Конструкція:
одна обмотка
Недоступний
Вольтметр; на панель; ВAC: 0÷250В; 40÷72Гц; Uмакс: 250В; 96x96мм
Вольтметр; на панель; ВAC: 0÷250В; 40÷72Гц; Uмакс: 250В; 96x96мм

1794,86 грн

Вимір:
напруги AC
Властивості шкали:
робоче положення 60°
Діапазон вимірювання напруги AC:
0...250В
Довжина шкали:
97мм
Недоступний
Резистор: thick film; 20Ом; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 20Ом; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
20Ом
Конденсатор: електролітичний; THT; 220мкФ; 35ВDC; Ø8x11,5мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 220мкФ; 35ВDC; Ø8x11,5мм; ±20%

31,68 грн

Висота:
11,5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 715кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 715кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В

0,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II

479,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 1,5÷3,6В; 40МГц; LQFP48
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 1,5÷3,6В; 40МГц; LQFP48

368,73 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
LQFP48
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ28; 300mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ28; 300mils

180,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28

724,79 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C

1892,43 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 45нс; SOP32; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 45нс; SOP32; паралельний; -40÷85°C

1116,32 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

340,22 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD