IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

Немає в наявності
Код товару: IS61WV51216BLL-10TLI
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IS61WV51216BLL-10TLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 8Мб SRAM
Робоча напруга: 2,4...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 512Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Роз’єм: провід-плата; вилка; гніздовий; DF52; PIN: 17; для проводу
Роз’єм: провід-плата; вилка; гніздовий; DF52; PIN: 17; для проводу

25,34 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
17
Механічний монтаж:
для проводу
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 50В; X8L; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 50В; X8L; ±10%; SMD; 0402

1,38 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8L
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 191кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; CQ; 50В
Резистор: thick film; 191кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; CQ; 50В

0,04 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Резистор: thin film; 6,65кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 6,65кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

16,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Pliers: insulated; cutting; for cables; 200mm
Pliers: insulated; cutting; for cables; 200mm

1444,50 грн

Type of pliers:
ізольовані
Вид щипці:
для різання
Відповідність стандарту:
IEC 60900:2004; VDE
Діапазон різки:
кабель мідний/алюмінієвий Ø5мм макс.; трос Ø2мм макс
Резистор: thick film; 4,75кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF
Резистор: thick film; 4,75кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 649кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 649кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷125°C

1,43 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

340,22 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 2048x8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 2048x8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

1344,40 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
16Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP44 II

786,87 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 16Кx8бит; 5В; 12нс; TSOP44 II; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 16Кx8бит; 5В; 12нс; TSOP44 II; -40÷85°C

245,82 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C

1892,43 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 55нс; STSOP32; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 55нс; STSOP32; паралельний; -40÷85°C

1077,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 70нс; DIP28; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 70нс; DIP28; паралельний

1884,19 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM