IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512x18бит; 3÷3,6В; 150нс; TQFP100

Немає в наявності
Код товару: AS8C801801-QC150N
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS8C801801-QC150N
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; синхронна
Властивості інтегральних мікросхем: LPC
Корпус: TQFP100
Монтаж: SMD
Пам'ять: 8Мб SRAM
Робоча напруга: 3...3,6В
Структура пам'яті: 512x18бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 150нс
IC: стабілізатор напруги; 1,8В; 500мА; SMD; -40÷105°C; Ch: 1
IC: стабілізатор напруги; 1,8В; 500мА; SMD; -40÷105°C; Ch: 1

77,93 грн

Вихідна напруга:
1,8В
Вихідний струм:
0,5А
Кількість каналів:
1
Монтаж:
SMD
Мікроперемикач SNAP ACTION; 0,1A/125ВAC; 2A/12ВDC; з важелем
Мікроперемикач SNAP ACTION; 0,1A/125ВAC; 2A/12ВDC; з важелем

160,29 грн

Виводи:
для друку
Властивості перемикачів:
з важелем
Довжина важеля:
13мм
Електрична стійкість:
100000 цикли
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 16В; Y5V; -20÷80%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 16В; Y5V; -20÷80%; SMD; 0402

0,29 грн

Alias:
KGM05AV51C104ZN
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
Y5V
Недоступний
Діод: TVS; двоспрямована; ESD; SOD323; Ch: 1; ролик,cтрічка
Діод: TVS; двоспрямована; ESD; SOD323; Ch: 1; ролик,cтрічка

19,64 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
15В
Кількість каналів:
1
Недоступний
Резистор: thick film; 8,2Ом; SMD; 2010; 1,25Вт; ±5%; PS; 400В
Резистор: thick film; 8,2Ом; SMD; 2010; 1,25Вт; ±5%; PS; 400В

2,54 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
800В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Модуль автоматики: інвертор; 22кВт; 3x400ВAC; 3x380÷480ВAC; 0÷10В
Модуль автоматики: інвертор; 22кВт; 3x400ВAC; 3x380÷480ВAC; 0÷10В

0,00 грн

Вихідна напруга інвертора:
3 x 400В AC
Вихід напруги:
0...10В
Вихідна частота:
0...500Гц
Властивості контролерів:
вбудований транзистор гальмування; вбудований фільтр EMC; з перемикачами
Недоступний
Резистор: thick film; 2Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C

0,20 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
0,85x1,55x0,45мм
7284L12PAG
7284L12PAG

2242,15 грн

Монтаж:
SMD
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 8.5ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 8.5ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C

1883,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; SOP32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; SOP32; 450mils

414,34 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP32

164,72 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II

393,44 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 256x36бит; 3÷3,6В; 75нс; TQFP100
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 256x36бит; 3÷3,6В; 75нс; TQFP100

193,23 грн

Вид пам’яті:
SRAM; синхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

446,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT