IC: пам'ять EEPROM; 512кбEEPROM; SPI; 64Кx8бит; 1,8÷5,5В; 10МГц

Немає в наявності
Код товару: NV25512MUW3VTBG
49,42 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: NV25512MUW3VTBG
Виробник: ONSEMI
Вид пам’яті: EEPROM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Інтерфейс: SPI
Корпус: uDFN8
Монтаж: SMD
Пам'ять: 512кб EEPROM
Робоча напруга: 1,8...5,5В
Робоча температура: -40...125°C
Структура пам'яті: 64Кx8бит
Тактова частота: 10МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять EEPROM
Тип інтерфейсу: послідовний
Час доступу: 45нс
Недоступний
Контакт; гніздовий; промислова; RX; позолочений; 1мм2; 40А
Контакт; гніздовий; промислова; RX; позолочений; 1мм2; 40А

347,82 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Застосування - серія/виробник:
RX
Модель роз’єму:
точені контакти
Недоступний
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 29мм; 3/4"; довга
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 29мм; 3/4"; довга

1331,73 грн

Вид ключа:
насадковий; ударний
Відповідність стандарту:
DIN 3121
Довжина насадки:
90мм
Модель:
довга
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,3пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,3пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,3пФ
Провід; MACHFLEX 350YY; 3G1мм2; неекранований; 300В,500В; 100м; Cu
Провід; MACHFLEX 350YY; 3G1мм2; неекранований; 300В,500В; 100м; Cu

82,36 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
не поширює полум'я
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,27 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,8пФ
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
Резистор: thin film; 64,9Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 64,9Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 250В; X7R; ±10%; THT; 5мм
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 250В; X7R; ±10%; THT; 5мм

3,38 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1нФ
Монтаж:
THT
IC: пам'ять EEPROM; SPI; 32Кx8бит; TSSOP8; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; SPI; 32Кx8бит; TSSOP8; послідовний

49,42 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
TSSOP8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять EEPROM; 2-wire,I2C; SOP8; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; 2-wire,I2C; SOP8; послідовний

9,44 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
2-wire; I2C
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять EEPROM; I2C; 256x8бит; TSSOP-B8; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; I2C; 256x8бит; TSSOP-B8; послідовний

9,00 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
TSSOP-B8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять EEPROM; Microwire; SOP8
IC: пам'ять EEPROM; Microwire; SOP8

43,65 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
Microwire
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять EEPROM; I2C; 128x8бит; VSON008X2030; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; I2C; 128x8бит; VSON008X2030; послідовний

9,06 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
VSON008X2030
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять EEPROM; 2-wire,I2C; 4Кx8бит; MSOP8; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; 2-wire,I2C; 4Кx8бит; MSOP8; послідовний

28,38 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
2-wire; I2C
Корпус:
MSOP8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять EEPROM; 4кбEEPROM; I2C; 2x256Кx8бит; 2,5÷5,5В; 400кГц
IC: пам'ять EEPROM; 4кбEEPROM; I2C; 2x256Кx8бит; 2,5÷5,5В; 400кГц

27,43 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
I2C
Кількість циклів макс.:
1м