IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 16бит; 184sps; 2,7÷5,5В; SOT23-6

Немає в наявності
Код товару: ADS1100A0IDBVR
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 250
Крок додавання: 250
Код товару: ADS1100A0IDBVR
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид входу: differential; single-ended
Властивості інтегральних мікросхем: delta-sigma
Інтерфейс: 2-wire; I2C
Кількість каналів: 1
Корпус: SOT23-6
Монтаж: SMD
Робоча напруга: 2,7...5,5В
Робоча температура: -40...85°C
Розділення перетворювача: 16бит
Тип інтегральної мікросхеми: перетворювач А/D
Частота: 3,4МГц
Частота пробування: 184sps
Реле: електромагнітнe; 6ВDC; DPDT; Iконтактів max: 10А; підставка
Реле: електромагнітнe; 6ВDC; DPDT; Iконтактів max: 10А; підставка

658,26 грн

Зовнішні розміри:
20,7x27,7x37,2мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
10А
Матеріал контакту:
AgNi
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.8mm; GKS-112; CuBe; 0.8N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.8mm; GKS-112; CuBe; 0.8N; push-in; 20mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,8мм
Недоступний
Діод: зенера; 1,25Вт; 120В; DO41; 1мкА; Ufmax: 1,2В
Діод: зенера; 1,25Вт; 120В; DO41; 1мкА; Ufmax: 1,2В

427,02 грн

Допуск:
±1%
Зенерівська напруга:
120В
Корпус:
DO41
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 866Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB
Резистор: thin film; 866Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB

3,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805

28,51 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 5A/250ВAC; SPST-NO; OFF-(ON); Поз: 2
Мікроперемикач SNAP ACTION; 5A/250ВAC; SPST-NO; OFF-(ON); Поз: 2

50,05 грн

Виводи:
конектори
Властивості перемикачів:
з важелем, що симулює ролик
Електрична стійкість:
50000 цикли
Кількість всіх позицій:
2
Недоступний
Резистор: thick film; 576кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 576кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В

0,73 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 13бит; 100кsps; 4,5÷5,5В; DIP8; туба
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 13бит; 100кsps; 4,5÷5,5В; DIP8; туба

333,88 грн

Max DNL:
±1LSB
Max INL:
±1LSB
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
differential; LPC
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 16бит; 500кsps; 1,7÷5,5В; MSOP10; туба
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 16бит; 500кsps; 1,7÷5,5В; MSOP10; туба

262,29 грн

Max DNL:
±1,8LSB
Max INL:
±6LSB
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 24бит; 156кsps; 2,7÷3,6В; TSSOP20; туба
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 24бит; 156кsps; 2,7÷3,6В; TSSOP20; туба

165,36 грн

Max INL:
±7LSB
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
differential
Інтерфейс:
SPI
IC: перетворювач А/D; Ch: 8; 12бит; 50кsps; TSSOP16; 2,7÷5,25ВDC
IC: перетворювач А/D; Ch: 8; 12бит; 50кsps; TSSOP16; 2,7÷5,25ВDC

446,66 грн

Вид архітектури:
SAR
Відносна погрішність:
2LSB
Властивості інтегральних мікросхем:
pseudo-differential
Інтерфейс:
I2C
IC: перетворювач А/D; Ch: 4; 12бит; 17кsps; SOIC28; IN: single-ended
IC: перетворювач А/D; Ch: 4; 12бит; 17кsps; SOIC28; IN: single-ended

1303,85 грн

Вид архітектури:
SAR
Вид входу:
single-ended
Інтерфейс:
parallel; serial
Кількість каналів:
4
IC: перетворювач А/D; контролер дисплея; Ch: 1; 4÷6В; DIP40
IC: перетворювач А/D; контролер дисплея; Ch: 1; 4÷6В; DIP40

431,45 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер дисплея
Властивості інтегральних мікросхем:
3 1/2 цифр; LCD/LED display
Кількість каналів:
1
Корпус:
DIP40
IC: перетворювач А/D; Ch: 2; 14бит; 0,05кsps; 5В; DIP16
IC: перетворювач А/D; Ch: 2; 14бит; 0,05кsps; 5В; DIP16

494,17 грн

Відносна погрішність:
2LSB
Властивості інтегральних мікросхем:
differential
Інтерфейс:
serial
Кількість каналів:
2