IC: перетворювач А/D; Ch: 4; 16бит; 1кsps; 2,3÷5,5В; WQFN16

Немає в наявності
Код товару: ADS1119IRTET
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 250
Крок додавання: 250
Код товару: ADS1119IRTET
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид входу: differential; single-ended
Властивості інтегральних мікросхем: delta-sigma
Інтерфейс: 2-wire; I2C
Кількість каналів: 4
Корпус: WQFN16
Монтаж: SMD
Робоча напруга: 2,3...5,5В
Робоча температура: -40...125°C
Розділення перетворювача: 16бит
Тип інтегральної мікросхеми: перетворювач А/D
Частота: 1МГц
Частота пробування: 1кsps
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 600В; 8А; 33нс; TO263AB; Ufmax: 2,1В; Ifsm: 60А
Діод: випрямний; SMD; 600В; 8А; 33нс; TO263AB; Ufmax: 2,1В; Ifsm: 60А

44,35 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
TO263AB
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 32МГц; UFQFPN20; 1,8÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 32МГц; UFQFPN20; 1,8÷3,6ВDC

48,15 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); DMA; PoR; PWM
Інтерфейс:
I2C; IrDA; SPI; USART
Кількість входів/виходів:
16
Резистор: thin film; 3,32кОм; 0805; 100мВт; ±0,1%; PCF; -55÷125°C
Резистор: thin film; 3,32кОм; 0805; 100мВт; ±0,1%; PCF; -55÷125°C

6,65 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 28,7Ом; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 28,7Ом; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

48,15 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 100В; X8R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 100В; X8R; ±20%; SMD; 0603

2,31 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8R
Допуск:
±20%
Недоступний
Симістор; 400В; 25А; Igt: 35мА; D2PAK; ролик,cтрічка; Ifsm: 200А
Симістор; 400В; 25А; Igt: 35мА; D2PAK; ролик,cтрічка; Ifsm: 200А

32,69 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
high commutation
Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Недоступний
Резистор: thick film; 36кОм; SMD; 01005; 31,25мВт; ±1%; 15В
Резистор: thick film; 36кОм; SMD; 01005; 31,25мВт; ±1%; 15В

0,38 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
01005
Корпус - мм:
0402
Монтаж:
SMD
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 12бит; 200кsps; SO8; Архітектура: SAR
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 12бит; 200кsps; SO8; Архітектура: SAR

280,66 грн

Вид архітектури:
SAR
Відносна погрішність:
2LSB
Властивості інтегральних мікросхем:
micropower
Інтерфейс:
serial
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 12бит; 200кsps; SO8; Архітектура: SAR
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 12бит; 200кsps; SO8; Архітектура: SAR

277,50 грн

Вид архітектури:
SAR
Відносна погрішність:
1LSB
Властивості інтегральних мікросхем:
micropower
Інтерфейс:
serial
IC: перетворювач А/D; Ch: 2; 16бит; 240sps; MSOP10; 2,7÷5,5ВDC
IC: перетворювач А/D; Ch: 2; 16бит; 240sps; MSOP10; 2,7÷5,5ВDC

446,02 грн

Відносна погрішність:
8LSB
Властивості інтегральних мікросхем:
differential
Інтерфейс:
I2C; serial
Кількість каналів:
2
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 10бит; 22кsps; 2,7÷5,5В; SOT23-5
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 10бит; 22кsps; 2,7÷5,5В; SOT23-5

59,55 грн

Max DNL:
±1LSB
Max INL:
±1LSB
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 10бит; 22кsps; 2,7÷5,5В; SOT23-5
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 10бит; 22кsps; 2,7÷5,5В; SOT23-5

67,16 грн

Max DNL:
±1LSB
Max INL:
±1LSB
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
IC: перетворювач А/D; Ch: 8; 10бит; 200кsps; 2,7÷5,5В; DIP16; туба
IC: перетворювач А/D; Ch: 8; 10бит; 200кsps; 2,7÷5,5В; DIP16; туба

148,25 грн

Max DNL:
±1LSB
Max INL:
±1LSB
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
pseudo-differential
IC: перетворювач А/D; Ch: 2; 10бит; 200кsps; 2,7÷5,5В; DIP8; туба
IC: перетворювач А/D; Ch: 2; 10бит; 200кsps; 2,7÷5,5В; DIP8; туба

160,92 грн

Max DNL:
±1LSB
Max INL:
±1LSB
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
pseudo-differential