IC: перетворювач D/A; 8бит; 100Мsps; Ch: 1; 3÷5,5В; SOIC28; -40÷85°C

Немає в наявності
Код товару: THS5641AIDWR
366,83 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: THS5641AIDWR
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Властивості інтегральних мікросхем: low power
Інтерфейс: parallel
Кількість каналів: 1
Корпус: SOIC28
Монтаж: SMD
Робоча напруга: 3...5,5В
Робоча температура: -40...85°C
Розділення перетворювача: 8бит
Тип інтегральної мікросхеми: перетворювач D/A
Частота пробування: 100Мsps
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 7кБ; 4МГц; CMOS,I2C,SPI,USART; 4÷5,5ВDC
IC: мікроконтролер PIC; 7кБ; 4МГц; CMOS,I2C,SPI,USART; 4÷5,5ВDC

262,29 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
PoR; watchdog
Інтерфейс:
CMOS; I2C; SPI; USART
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; SMT; 3A; 250V

141,92 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
ролик
Довжина контакту:
13,4мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,63 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Резистор: thick film; 4,3кОм; 0805; 250мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,3кОм; 0805; 250мВт; ±1%; -55÷155°C

1,08 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 249Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 249Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; NQ; 200В

0,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 48А; Idm: 120А; 56,8Вт; QFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 48А; Idm: 120А; 56,8Вт; QFN5x6

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
QFN5x6
Недоступний
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 2010; 500мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 2010; 500мВт; ±1%; -55÷155°C

0,87 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Монтаж:
SMD
IC: перетворювач D/A; 8бит; 10Мsps; Ch: 1; DIP16; 4,75÷4,25ВDC
IC: перетворювач D/A; 8бит; 10Мsps; Ch: 1; DIP16; 4,75÷4,25ВDC

305,37 грн

Відносна погрішність:
0,5LSB
Властивості інтегральних мікросхем:
multiplying
Інтерфейс:
parallel
Кількість каналів:
1
IC: перетворювач D/A; 16бит; Ch: 1; 2,95÷5,05В; SO16
IC: перетворювач D/A; 16бит; Ch: 1; 2,95÷5,05В; SO16

793,84 грн

Інтерфейс:
serial
Кількість каналів:
1
Корпус:
SO16
Монтаж:
SMD
IC: перетворювач D/A; 8бит; 3,4Мsps; Ch: 2; 1,8÷5,5В; MSOP10; туба
IC: перетворювач D/A; 8бит; 3,4Мsps; Ch: 2; 1,8÷5,5В; MSOP10; туба

76,66 грн

Max DNL:
±0,1LSB
Max INL:
±0,1LSB
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
I2C
IC: перетворювач D/A; 8бит; Ch: 4; 2,7÷5,5В; VQFN20; -40÷125°C; туба
IC: перетворювач D/A; 8бит; Ch: 4; 2,7÷5,5В; VQFN20; -40÷125°C; туба

77,29 грн

Max DNL:
±0,0125LSB
Max INL:
±0,1LSB
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
I2C
IC: перетворювач D/A; 10бит; 180кsps; Ch: 1; SOT23-THN-6; -40÷125°C
IC: перетворювач D/A; 10бит; 180кsps; Ch: 1; SOT23-THN-6; -40÷125°C

97,57 грн

Max DNL:
±0,3LSB
Max INL:
±2LSB
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Інтерфейс:
I2C
IC: перетворювач D/A; 12бит; 180кsps; Ch: 1; VSSOP8; -40÷125°C
IC: перетворювач D/A; 12бит; 180кsps; Ch: 1; VSSOP8; -40÷125°C

146,98 грн

Max DNL:
±0,6LSB
Max INL:
±8LSB
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Інтерфейс:
I2C
IC: перетворювач D/A; 8бит; 125кsps; Ch: 1; SOT23-6; -40÷105°C
IC: перетворювач D/A; 8бит; 125кsps; Ch: 1; SOT23-6; -40÷105°C

147,62 грн

Max DNL:
±0,25LSB
Відносна погрішність:
0,5LSB
Інтерфейс:
I2C
Кількість каналів:
1