IC: power switch; 500мА; N-Channel; SMD; HTSSOP20; -40÷150°C

Name: IC: power switch; 500мА; N-Channel; SMD; HTSSOP20; -40÷150°C
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: BD8LD650EFV-CE2
Price: 105.80 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: BD8LD650EFV-CE2

105,80 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 39

Код товару:

BD8LD650EFV-CE2

Виробник:

ROHM SEMICONDUCTOR

Активний стан:

низьке

Вид виходу:

N-Channel

Вихідний струм:

0,5А

Корпус:

HTSSOP20

Монтаж:

SMD

Опір в стані провідності:

0,65Ом

Робоча температура:

-40...150°C

Тип інтегральної мікросхеми:

power switch

Час ввімкнення:

0,2мс

Час вимкнення:

0,2мс

Це може вас зацікавити

Бажані

IC: power switch; high-side; 1А; Ch: 4; SMD; PowerSO10; 10÷36В

287,00 грн

Вид об'єднаної схеми:
high-side

Вихідний струм:
1А

Кількість каналів:
4

Корпус:
PowerSO10

Бажані

IC: power switch; high-side; 0,8А; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8

138,11 грн

Вид виходу:
N-Channel

Вид об'єднаної схеми:
high-side

Вихідна напруга:
40В

Вихідний струм:
0,8А

Бажані

IC: power switch; high-side; 0,4А; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8

122,91 грн

Вид виходу:
N-Channel

Вид об'єднаної схеми:
high-side

Вихідний струм:
0,4А

Кількість каналів:
1

Бажані

IC: power switch; high-side; 0,5А; Ch: 4; MOSFET; SMD; SO16; туба

150,15 грн

Активний стан:
високе

Вид виходу:
MOSFET

Вид об'єднаної схеми:
high-side

Вид упаковки:
туба

Бажані

IC: power switch; high-side; 1,5А; Ch: 1; MOSFET; SMD; SO8; туба

49,42 грн

Активний стан:
високе

Вид виходу:
MOSFET

Вид об'єднаної схеми:
high-side

Вид упаковки:
туба

Бажані

IC: power switch; high-side; 1,2А; Ch: 1; MOSFET; SMD; SOT23-5

58,29 грн

Активний стан:
високе

Вид виходу:
MOSFET

Вид об'єднаної схеми:
high-side

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Бажані

IC: power switch; high-side; 2,5А; Ch: 1; SMD; VFQFPN48; туба; 25кГц

74,76 грн

Вид об'єднаної схеми:
high-side

Вид упаковки:
туба

Вихідний струм:
2,5А

Кількість каналів:
1