IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; 3.3V; 3.8ns; TQFP100; parallel

Немає в наявності
Код товару: IS61LPS204836B-166TQLI
6919,67 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 72
Крок додавання: 72
Код товару: IS61LPS204836B-166TQLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TQFP100
Монтаж: SMD
Пам'ять: 72Мб SRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 2Mx36bit
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 3,8нс
Недоступний
З`єднання: на рейку; PTS; PA; затиски: 4; W: 6,2мм; H: 96мм
З`єднання: на рейку; PTS; PA; затиски: 4; W: 6,2мм; H: 96мм

132,41 грн

Висота:
96мм
Кількість клем:
4
Клас горючості:
UL94V-0
Колір корпусу:
синій
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 50мА; 360мВт
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 50мА; 360мВт

3237,46 грн

Напруга сток-джерело:
30В
Опір в стані провідності:
25Ом
Потужність розсіювання:
0,36Вт
Струм стока:
50мА
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 36; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 36; THT; straight

15,65 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
10,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; Uвх: 8,5÷160ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 1,67А
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; Uвх: 8,5÷160ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 1,67А

2769,90 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
1,67А
Вхідна напруга:
8,5...160В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; проти короткого замикання OVP; протиперевантажувальні OLP
Варистор: блоковий; 550ВAC; 745ВDC; 25кА
Варистор: блоковий; 550ВAC; 745ВDC; 25кА

1285,48 грн

Робоча напруга макс.:
550В AC; 745В DC
Робоча температура:
-40...85°C
Струм варистора макс. 8/20мкс:
25кА
Тип варистора:
блоковий
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 17,8В; двоспрямована; SMC; Ch: 1; -65÷150°C
Діод: TVS; 3кВт; 17,8В; двоспрямована; SMC; Ch: 1; -65÷150°C

129,24 грн

Зворотна напруга макс.:
16В
Кількість каналів:
1
Корпус:
SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Перемикач: антивандальний; Поз: 2; SPDT; LAS1GQ; 3A/220ВAC; IP65
Перемикач: антивандальний; Поз: 2; SPDT; LAS1GQ; 3A/220ВAC; IP65

632,29 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Електрична стійкість:
50000 цикли
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
2
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3÷3,6В; 10нс; SOJ44; 400mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3÷3,6В; 10нс; SOJ44; 400mils

188,80 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; TSOP32 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; TSOP32 II

401,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32

224,28 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 8нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 8нс; TSOP44 II

733,02 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
8Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 55нс; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 32Кx8бит; 55нс; паралельний; -40÷85°C

206,54 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Структура пам'яті:
32Кx8бит
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP28

274,33 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 100нс; DIP28
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 100нс; DIP28

1624,43 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM