IC: вимірювальний підсилювач; 200кГц; 2,7÷60ВDC; SOT25; 50В/В

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: ZXCT1086E5TA
94,40 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: ZXCT1086E5TA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид об'єднаної схеми: high-side; двонаправлений; джерело живлення
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Діапазон напруги живлення: 2,7...60В DC
Коефіцієнт посилення: 50В/В
Корпус: SOT25
Монтаж: SMT
Робоча температура: -40...125°C
Смуга передачі: 0,2МГц
Тип інтегральної мікросхеми: вимірювальний підсилювач
Недоступний
Резистор: thick film; 5,36Ом; SMD; 1020; 1,5Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 5,36Ом; SMD; 1020; 1,5Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

1,51 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1020
Корпус - мм:
2550
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; SMT; 3A; 250V

214,77 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Довжина контакту:
6,7мм
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Iвих: 400мА; SIP; THT; 19,5x9,8x12,5мм
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Iвих: 400мА; SIP; THT; 19,5x9,8x12,5мм

848,33 грн

Вихідна напруга:
5В
Вихідний струм:
0,4А
Зовнішні розміри:
19,5x9,8x12,5мм
Кількість виходів:
1
Недоступний
Резистор: thick film; 6,65МОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 6,65МОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 205Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 205Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 4,75кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 4,75кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Вилковий місток; L: 28,6мм; лінії: 4; W: 32,4мм; H: 13,5мм
Вилковий місток; L: 28,6мм; лінії: 4; W: 32,4мм; H: 13,5мм

191,97 грн

Висота:
13,5мм
Довжина:
28,6мм
Кількість ліній:
4
Колір корпусу:
червоний
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 1; ±1,35÷8ВDC,2,7÷16ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 1; ±1,35÷8ВDC,2,7÷16ВDC

81,09 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Діапазон напруги живлення:
± 1,35...8В DC; 2,7...16В DC
Кількість каналів:
1
IC: Oпераційний підсилювач; 30МГц; Ch: 4; 1,8÷5,5ВDC; SO14; туба
IC: Oпераційний підсилювач; 30МГц; Ch: 4; 1,8÷5,5ВDC; SO14; туба

42,45 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
EMI protection; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
-1,6...1,6мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,2нА
IC: Oпераційний підсилювач; 2,2МГц; Ch: 4; TSSOP14; 13мВ; IB: 250нА
IC: Oпераційний підсилювач; 2,2МГц; Ch: 4; TSSOP14; 13мВ; IB: 250нА

27,88 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
low voltage; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
13мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,25мкА
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 4; 1,8÷6ВDC; SO14; 1,6мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 4; 1,8÷6ВDC; SO14; 1,6мВ

22,17 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
1,6мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 7МГц; Ch: 1; SO8; 2,5мВ; IB: 10пА
IC: Oпераційний підсилювач; 7МГц; Ch: 1; SO8; 2,5мВ; IB: 10пА

70,32 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; широкосмуговий
Вхідна напруга зміщення нуля:
2,5мВ
Вхідний поляризаційний струм:
10пА
Вхідний струм зміщення нуля:
10пА
IC: підсилювач; 100кГц; Ch: 1; 2,7÷5,5ВDC; SOP8; 0,2мВ
IC: підсилювач; 100кГц; Ch: 1; 2,7÷5,5ВDC; SOP8; 0,2мВ

297,14 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
гальванічне відокремлення
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,2мВ
Діапазон напруги живлення:
2,7...5,5В DC
Кількість каналів:
1
IC: Oпераційний підсилювач; 2,7МГц; Ch: 2; 2,5÷6ВDC; SO8; 4мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 2,7МГц; Ch: 2; 2,5÷6ВDC; SO8; 4мВ

172,33 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
4мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,5нА
Вхідний струм зміщення нуля:
250пА