IC: вимірювальний підсилювач; 200кГц; Ch: 1; 2,7÷18ВDC; SOT23-5

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: INA198AIDBVR
181,83 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: INA198AIDBVR
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид об'єднаної схеми: джерело живлення
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем: ±1% accuracy
Вхідна напруга зміщення нуля: 0,5мВ
Вхідний поляризаційний струм: 8мкА
Діапазон напруги живлення: 2,7...18В DC
Кількість в наборі/упаковці: 3000шт.
Кількість каналів: single; 1
Коефіцієнт посилення: 100В/В
Корпус: SOT23-5
Монтаж: SMT
Робоча температура: -40...125°C
Смуга передачі: 0,2МГц
Стандартне пакування виробника: 3000шт.
Тип інтегральної мікросхеми: вимірювальний підсилювач
Швидкість наростання напруги: 1В/мкс
Недоступний
Резистор: thick film; 301мОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 301мОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В

1,09 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Гайка; NPT1/2"; латунь; 24мм; Різьбл: дюймове,NPT; нікель; Entrelec
Гайка; NPT1/2"; латунь; 24мм; Різьбл: дюймове,NPT; нікель; Entrelec

123,54 грн

Вид різьблення:
NPT; дюймове
Застосування - серія/виробник:
Entrelec
Матеріал корпусу:
латунь
Матеріал покриття:
нікель
Недоступний
Резистор: thick film; 1,1МОм; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; HP; 300В
Резистор: thick film; 1,1МОм; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; HP; 300В

3,36 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Резистор: thick film; 18,7кОм; 0201; 50мВт; ±1%; CRT; -55÷125°C
Резистор: thick film; 18,7кОм; 0201; 50мВт; ±1%; CRT; -55÷125°C

0,02 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
18,7кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HQ; 200В

1,91 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 250мВт; Uвх: 24ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 16,6мА
Перетворювач: DC/DC; 250мВт; Uвх: 24ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 16,6мА

186,26 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
16,6мА
Вхідна напруга:
24В DC
Зовнішні розміри:
11,68x6x12,19мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8пФ; 50В; X8G; ±0,1%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8пФ; 50В; X8G; ±0,1%; SMD; 0402

1,00 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±0,1%
IC: вимірювальний підсилювач; 400кГц; Ch: 1; 2,7÷5,5ВDC; SO8; 50В/В
IC: вимірювальний підсилювач; 400кГц; Ch: 1; 2,7÷5,5ВDC; SO8; 50В/В

204,00 грн

Вид об'єднаної схеми:
high-/low-side; двонаправлений; джерело живлення
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
zero-drift
Вхідна напруга зміщення нуля:
25мкВ
IC: вимірювальний підсилювач; Ch: 1; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC; SO8
IC: вимірювальний підсилювач; Ch: 1; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC; SO8

356,06 грн

Вид об'єднаної схеми:
джерело живлення
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
прецизійний; програмоване підсилення
Вхідний поляризаційний струм:
2нА
IC: Oпераційний підсилювач; 10МГц; Ch: 1; 2,4÷5,5ВDC; SOT23-5
IC: Oпераційний підсилювач; 10МГц; Ch: 1; 2,4÷5,5ВDC; SOT23-5

69,06 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; zero-drift
Вхідна напруга зміщення нуля:
25мкВ
Вхідний поляризаційний струм:
50пА
IC: Oпераційний підсилювач; 1,2МГц; Ch: 4; ±1,5÷15ВDC,3÷30ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 1,2МГц; Ch: 4; ±1,5÷15ВDC,3÷30ВDC

18,37 грн

Діапазон напруги живлення:
± 1,5...15В DC; 3...30В DC
Кількість каналів:
quad; 4
Корпус:
SO14
Монтаж:
SMT
IC: Oпераційний підсилювач; 1,4МГц; Ch: 1; 2,5÷6ВDC; SOT23-5; 6мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 1,4МГц; Ch: 1; 2,5÷6ВDC; SOT23-5; 6мВ

49,42 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
low power; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
6мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,15мкА
IC: Oпераційний підсилювач; 3,5МГц; Ch: 4; Uробоча: 2,7÷5,5В; туба
IC: Oпераційний підсилювач; 3,5МГц; Ch: 4; Uробоча: 2,7÷5,5В; туба

157,12 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
low offset; rail-to-rail; низький рівень шуму
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,3мВ
Кількість каналів:
4
IC: підсилювач; 100кГц; Ch: 1; 2,7÷5,5ВDC; SOP8; 0,2мВ
IC: підсилювач; 100кГц; Ch: 1; 2,7÷5,5ВDC; SOP8; 0,2мВ

188,17 грн

Використання:
автомобільна галузь
Властивості інтегральних мікросхем:
гальванічне відокремлення
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,2мВ
Діапазон напруги живлення:
2,7...5,5В DC