IC: вимірювальний підсилювач; Ch: 2; miniSO8; 0,5мВ

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BD14232FVJ-CE2
113,41 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 36
Код товару: BD14232FVJ-CE2
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид об'єднаної схеми: джерело живлення
Вхідна напруга зміщення нуля: 0,5мВ
Кількість каналів: 2
Корпус: miniSO8
Монтаж: SMT
Робоча температура: -40...125°C
Тип інтегральної мікросхеми: вимірювальний підсилювач
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; M12 прямий "папа",М12 прямий "мама"
Кабель: до датчиків; PIN: 4; M12 прямий "папа",М12 прямий "мама"

2968,83 грн

Довжина кабелю:
3м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Колір ізоляції:
фіолетовий
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 82кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±2%; 200В
Резистор: вуглецевий; 82кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±2%; 200В

3,99 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
1,4мм
Довжина:
3,31мм
Допуск:
±2%
Трансформатор: струмовий; DM; I AC: 200А; 2ВА; Iвтор.обм.1: 5А
Трансформатор: струмовий; DM; I AC: 200А; 2ВА; Iвтор.обм.1: 5А

1009,88 грн

Діаметр отвору:
23мм
Зовнішні розміри:
52x46,5x56,5мм
Клас точності:
1
Потужність:
2ВА
Недоступний
Резистор: thick film; 10,2кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 10,2кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,51 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
10,2кОм
Провід; MOTIONLINE® ADVANCED; 3x0,34мм2; ПВХ; сірий; 300В
Провід; MOTIONLINE® ADVANCED; 3x0,34мм2; ПВХ; сірий; 300В

81,73 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Викрутка: рукоятка викрутки; ESD; 1/4"; 105мм
Викрутка: рукоятка викрутки; ESD; 1/4"; 105мм

610,11 грн

Загальна довжина:
105мм
Модель:
ESD
Розмір гнізда тримача - дюйм:
1/4"
Тип викрутка:
рукоятка викрутки
Недоступний
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 4Mx32бит; 3÷3,6В; 143МГц; 6,5нс
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 4Mx32бит; 3÷3,6В; 143МГц; 6,5нс

574,00 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Корпус:
TFBGA90
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
128Мб DRAM
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 4; ±2,25÷20ВDC,4,5÷40ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 4; ±2,25÷20ВDC,4,5÷40ВDC

48,15 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
низький рівень шуму
Вхідна напруга зміщення нуля:
7,5мВ
Вхідний поляризаційний струм:
7нА
IC: вимірювальний підсилювач; 200кГц; Ch: 1; SO8; 5В/В,10кВ/В; туба
IC: вимірювальний підсилювач; 200кГц; Ch: 1; SO8; 5В/В,10кВ/В; туба

217,31 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
micropower; прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,15мВ
Діапазон напруги живлення:
± 1,35...18В DC; 2,7...36В DC
IC: Oпераційний підсилювач; 5,5МГц; Ch: 1; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 5,5МГц; Ch: 1; SO8

139,38 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; прецизійний
Діапазон напруги живлення:
± 1,25...2,75В DC; 2,5...5,5В DC
Кількість каналів:
1
Корпус:
SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 10МГц; Ch: 2; 1,8÷5,5ВDC; SO8; 2мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 10МГц; Ch: 2; 1,8÷5,5ВDC; SO8; 2мВ

57,02 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
2мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,5пА
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 1; 1,8÷6ВDC; SOT23-5; 4,5мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 1; 1,8÷6ВDC; SOT23-5; 4,5мВ

14,57 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
4,5мВ
Вхідний поляризаційний струм:
1пА
IC: Oпераційний підсилювач; 10МГц; Ch: 4; 2,5÷5,5ВDC; SO14; туба
IC: Oпераційний підсилювач; 10МГц; Ch: 4; 2,5÷5,5ВDC; SO14; туба

123,54 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
-0,25...0,25мВ
Вхідний поляризаційний струм:
1пА
IC: Oпераційний підсилювач; 2,8МГц; Ch: 2; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 2,8МГц; Ch: 2; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC

176,76 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output; низький рівень шуму; прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
20мкВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,4нА