IC: вимірювальний підсилювач; 4кГц; Ch: 1; 2,7÷26ВDC; SC70-6; 1кВ/В

Немає в наявності
Код товару: INA212BIDCKR
47,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: INA212BIDCKR
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид об'єднаної схеми: high-/low-side; двонаправлений; джерело живлення
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем: zero-drift
Вхідна напруга зміщення нуля: 35мкВ
Вхідний поляризаційний струм: 35мкА
Вхідний струм зміщення нуля: 20нА
Діапазон напруги живлення: 2,7...26В DC
Кількість в наборі/упаковці: 3000шт.
Кількість каналів: single; 1
Коефіцієнт посилення: 1кВ/В
Корпус: SC70-6
Монтаж: SMT
Робоча температура: -40...125°C
Смуга передачі: 4кГц
Стандартне пакування виробника: 3000шт.
Тип інтегральної мікросхеми: вимірювальний підсилювач
Швидкість наростання напруги: 0,4В/мкс
Конденсатор: поліестровий; 1мкФ; ±10%; 17,4x44,4мм; THT; -55÷125°C
Конденсатор: поліестровий; 1мкФ; ±10%; 17,4x44,4мм; THT; -55÷125°C

1134,06 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
1мкФ
Монтаж:
THT
Робоча температура:
-55...125°C
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1808; 178мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1808; 178мм

9,50 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Реле: напівпровідниковe; 700мА; макс.60ВDC; SMT; SOP4; OptoMOS
Реле: напівпровідниковe; 700мА; макс.60ВDC; SMT; SOP4; OptoMOS

86,80 грн

Вид виходу:
MOSFET
Зовнішні розміри:
4,09x3,81x2,03мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Корпус:
SOP4
Недоступний
Резистор: thick film; 3,24кОм; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,24кОм; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,35 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
3,24кОм
Недоступний
Connector: pin strips; data; PIN: 49; THT; 3A; vertical; 2.54mm
Connector: pin strips; data; PIN: 49; THT; 3A; vertical; 2.54mm

442,22 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
49
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thin film; 21,5Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 21,5Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%

5,89 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 2,2кОм; прецизійний; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 2,2кОм; прецизійний; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%

2,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0603
IC: вимірювальний підсилювач; 300кГц; 2,7÷20ВDC; SOT23-5
IC: вимірювальний підсилювач; 300кГц; 2,7÷20ВDC; SOT23-5

76,66 грн

Вид об'єднаної схеми:
high-side; двонаправлений; джерело живлення
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
±1% accuracy
Діапазон напруги живлення:
2,7...20В DC
IC: Oпераційний підсилювач; 1,1МГц; Ch: 2; 3÷30ВDC; SO8; 5мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 1,1МГц; Ch: 2; 3÷30ВDC; SO8; 5мВ

85,53 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
low power
Вхідна напруга зміщення нуля:
5мВ
Діапазон напруги живлення:
3...30В DC
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; ±2,5÷15ВDC,5÷30ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; ±2,5÷15ВDC,5÷30ВDC; SO8

29,78 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вхідна напруга зміщення нуля:
6мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,8мкА
Вхідний струм зміщення нуля:
300нА
IC: Oпераційний підсилювач; 8МГц; Ch: 1; 2,5÷5,5ВDC; SOT23-5; 3мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 8МГц; Ch: 1; 2,5÷5,5ВDC; SOT23-5; 3мВ

47,52 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; універсальний
Вхідна напруга зміщення нуля:
3мВ
Діапазон напруги живлення:
2,5...5,5В DC
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 2; ±2,25÷20ВDC,4,5÷40ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 2; ±2,25÷20ВDC,4,5÷40ВDC

54,49 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
низький рівень шуму
Вхідна напруга зміщення нуля:
2мВ
Вхідний поляризаційний струм:
65пА
IC: Oпераційний підсилювач; 730кГц; Ch: 2; ±2,2÷8ВDC,4,4÷16ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 730кГц; Ch: 2; ±2,2÷8ВDC,4,4÷16ВDC

105,17 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
3мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,1нА
IC: вимірювальний підсилювач; 120кГц; Ch: 1; ±1,3÷18ВDC,2,2÷36ВDC
IC: вимірювальний підсилювач; 120кГц; Ch: 1; ±1,3÷18ВDC,2,2÷36ВDC

600,61 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
micropower; rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,15мВ
Діапазон напруги живлення:
± 1,3...18В DC; 2,2...36В DC