IC: вимірювальний підсилювач; 650кГц; 2,5÷36ВDC; SOT23; Iio: 4мкА

Немає в наявності
Код товару: ZXCT1109QSA-7
50,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: ZXCT1109QSA-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид об'єднаної схеми: high-side; джерело живлення
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Вхідний струм зміщення нуля: 4мкА
Діапазон напруги живлення: 2,5...36В DC
Корпус: SOT23
Монтаж: SMT
Робоча температура: -40...125°C
Смуга передачі: 650кГц
Струм без навантаження: 3мкА
Тип інтегральної мікросхеми: вимірювальний підсилювач
Недоступний
Резистор: thin film; 86,6кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 86,6кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0

0,58 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
З`єднання: на рейку; на шину DIN
З`єднання: на рейку; на шину DIN

39,91 грн

Механічний монтаж:
на шину DIN
Тип з`єднання:
на рейку
Недоступний
Резистор: thick film; 7,5кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 7,5кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 174Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 174Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,05%

16,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 21Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 21Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,92 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
21Ом
Click board; макетна плата; Комп: INA219BIDR; вимірник енергії
Click board; макетна плата; Комп: INA219BIDR; вимірник енергії

2143,95 грн

Вид модуля:
вимірник енергії
Властивості аксесуарів для пускових комплектів:
ClickID
Інтерфейс:
I2C
Компоненти:
INA219BIDR
Недоступний
Вольтметр; на панель; 0÷400В; 40÷72Гц; Довжина: 97мм; 96x96мм; EA19
Вольтметр; на панель; 0÷400В; 40÷72Гц; Довжина: 97мм; 96x96мм; EA19

2045,11 грн

Вимір:
напруги AC
Властивості шкали:
робоче положення 90°
Діапазон вимірювання напруги AC:
0...400В
Довжина шкали:
97мм
IC: Oпераційний підсилювач; 12МГц; Ch: 1; ±4÷30ВDC; SO8; 5мВ; туба
IC: Oпераційний підсилювач; 12МГц; Ch: 1; ±4÷30ВDC; SO8; 5мВ; туба

373,16 грн

Вид упаковки:
туба
Вхідна напруга зміщення нуля:
5мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,1нА
Вхідний струм зміщення нуля:
0,1нА
IC: Oпераційний підсилювач; 120МГц; Ch: 1; ±4,5÷16ВDC,±9÷32ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 120МГц; Ch: 1; ±4,5÷16ВDC,±9÷32ВDC

416,24 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
High Speed
Вхідна напруга зміщення нуля:
3мВ
Вхідний струм зміщення нуля:
400нА
IC: Oпераційний підсилювач; 2МГц; Ch: 4; ±1,5÷8ВDC,3÷16ВDC; SO14
IC: Oпераційний підсилювач; 2МГц; Ch: 4; ±1,5÷8ВDC,3÷16ВDC; SO14

122,28 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
6,5мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,6нА
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 4; ±2÷18ВDC,4÷36ВDC; SO14
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 4; ±2÷18ВDC,4÷36ВDC; SO14

776,10 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,1мВ
Діапазон напруги живлення:
± 2...18В DC; 4...36В DC
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 1; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 1; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC

243,92 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
прецизійний
Діапазон напруги живлення:
± 2,25...18В DC; 4,5...36В DC
Кількість каналів:
1
Корпус:
SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 6МГц; Ch: 1; ±2÷22ВDC,4,4÷44ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 6МГц; Ch: 1; ±2÷22ВDC,4,4÷44ВDC; SO8

116,57 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
низький рівень шуму; прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
1,7мВ
Вхідний струм зміщення нуля:
150нА
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 2; ±1,35÷6ВDC,2,7÷12ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 2; ±1,35÷6ВDC,2,7÷12ВDC; SO8

428,92 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
80мкВ
Вхідний поляризаційний струм:
30нА