1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Інтегральні схеми
  4. Аналогові і змішані схеми
  5. Операційні підсилювачі
  6. Операційні підсилювачі SMD

IC: вимірювальний підсилювач; 80кГц; Ch: 1; 2,7÷26ВDC; UQFN10; 5мкВ

IC: вимірювальний підсилювач; 80кГц; Ch: 1; 2,7÷26ВDC; UQFN10; 5мкВ
Немає в наявності
Код товару: INA199C1RSWT
62,09 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: INA199C1RSWT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид об'єднаної схеми: high-/low-side; двонаправлений; джерело живлення
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем: zero-drift
Вхідна напруга зміщення нуля: 5мкВ
Вхідний поляризаційний струм: 28мкА
Вхідний струм зміщення нуля: 20нА
Діапазон напруги живлення: 2,7...26В DC
Кількість в наборі/упаковці: 250шт.
Кількість каналів: single; 1
Коефіцієнт посилення: 50В/В
Корпус: UQFN10
Монтаж: SMT
Робоча температура: -40...125°C
Смуга передачі: 80кГц
Стандартне пакування виробника: 250шт.
Тип інтегральної мікросхеми: вимірювальний підсилювач
Швидкість наростання напруги: 0,4В/мкс
Недоступний
Резистор: metal film; 4,12кОм; THT; 250мВт; ±1%; MF; 250В; осьові
Резистор: metal film; 4,12кОм; THT; 250мВт; ±1%; MF; 250В; осьові

0,39 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thick film; 150кОм; SMD; 2010; 500мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 150кОм; SMD; 2010; 500мВт; ±1%; CQ; 200В

1,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Кристал; 32,768кГц; 12,5пФ; ±10ppm; ±5ppm/рік; Ø2x6мм; -20÷75°C
Кристал; 32,768кГц; 12,5пФ; ±10ppm; ±5ppm/рік; Ø2x6мм; -20÷75°C

4,05 грн

Довготривала стабільність:
±5ppm/рік
Ємність:
12,5пФ
Робоча температура:
-20...75°C
Розміри:
Ø2x6мм
Недоступний
Резистор: thin film; 218кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 218кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Конденсатор: електролітичний; THT; 4,7мФ; 63ВDC; 10,16мм; 4000г
Конденсатор: електролітичний; THT; 4,7мФ; 63ВDC; 10,16мм; 4000г

2185,13 грн

Виводи:
радіальні
Ємність:
4,7мФ
Монтаж:
THT
Опір ESR:
31,1мОм
Недоступний
Резистор: thick film; 215Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 215Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: Oпераційний підсилювач; 12МГц; Ch: 1; ±4÷30ВDC; SO8; 5мВ; туба
IC: Oпераційний підсилювач; 12МГц; Ch: 1; ±4÷30ВDC; SO8; 5мВ; туба

373,16 грн

Вид упаковки:
туба
Вхідна напруга зміщення нуля:
5мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,1нА
Вхідний струм зміщення нуля:
0,1нА
IC: Oпераційний підсилювач; 1,2МГц; Ch: 1; ±1,35÷18ВDC,2,7÷36ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 1,2МГц; Ch: 1; ±1,35÷18ВDC,2,7÷36ВDC

52,58 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
low power; rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
2,7мВ
Вхідний поляризаційний струм:
1нА
IC: вимірювальний підсилювач; 1,3МГц; Ch: 1; SO8; ролик,cтрічка
IC: вимірювальний підсилювач; 1,3МГц; Ch: 1; SO8; ролик,cтрічка

440,95 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вхідний поляризаційний струм:
10нА
Вхідний струм зміщення нуля:
10нА
Діапазон напруги живлення:
± 2,25...18В DC; 4,5...36В DC
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 4; ±5÷15ВDC,10÷30ВDC; SO14
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 4; ±5÷15ВDC,10÷30ВDC; SO14

291,43 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
low power
Вхідна напруга зміщення нуля:
6,8мВ
Вхідний поляризаційний струм:
900пА
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 4; ±2÷18ВDC,4÷36ВDC; SO14
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 4; ±2÷18ВDC,4÷36ВDC; SO14

776,10 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,1мВ
Діапазон напруги живлення:
± 2...18В DC; 4...36В DC
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 1; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 1; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC

243,92 грн

Властивості інтегральних мікросхем:
прецизійний
Діапазон напруги живлення:
± 2,25...18В DC; 4,5...36В DC
Кількість каналів:
1
Корпус:
SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 2; ±1,35÷6ВDC,2,7÷12ВDC; SO8
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 2; ±1,35÷6ВDC,2,7÷12ВDC; SO8

428,92 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
80мкВ
Вхідний поляризаційний струм:
30нА