1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Transistor modules

Модуль; 1,2кВ; 805А; SP6C; 3,215кВт; SiC; пригвинчуваний

Модуль; 1,2кВ; 805А; SP6C; 3,215кВт; SiC; пригвинчуваний
Немає в наявності
Код товару: MSCSM120AM03CT6LIAG
47558,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MSCSM120AM03CT6LIAG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Корпус: SP6C
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 3,1мОм
Потужність розсіювання: 3,215кВт
Струм стока: 805А
Технологія: SiC
Тип напівпровідникового модуля: транзисторний MOSFET
Недоступний
Провід; ÖLFLEX® TRAIN 315 C TW-P 300V; 48x1,5мм2; чорний
Провід; ÖLFLEX® TRAIN 315 C TW-P 300V; 48x1,5мм2; чорний

2804,74 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид матеріалу:
негалогенний; не поширює полум'я
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 75А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 75А; SOT227B; пригвинчуваний

2273,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
240нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 850В; 65А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 850В; 65А; SOT227B; пригвинчуваний

2423,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
230нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 44А; ISOTOP; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 44А; ISOTOP; пригвинчуваний

2289,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
ISOTOP
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Модуль; одиночний транзистор; 300В; 130А; ISOTOP; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 300В; 130А; ISOTOP; пригвинчуваний

1456,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
ISOTOP
Модуль; одиночний транзистор; 100В; 420А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 100В; 420А; SOT227B; пригвинчуваний

1608,59 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
670нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 200В; 188А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 200В; 188А; SOT227B; пригвинчуваний

1898,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
255нКл
Корпус:
SOT227B