Модуль; 1кВ; 74А; SOT227B; 1,17кВт; HiPerFET™; 290нс

Немає в наявності
Код товару: IXFN74N100X
4225,17 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IXFN74N100X
Виробник: IXYS
Корпус: SOT227B
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 66мОм
Потужність розсіювання: 1,17кВт
Струм стока: 74А
Технологія: HiPerFET™
Тип напівпровідникового модуля: транзисторний MOSFET
Час готовності: 290нс
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 133÷147В; 7,9А; двоспрямована; SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 133÷147В; 7,9А; двоспрямована; SMC

13,94 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
120В
Корпус:
SMC
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THT; 3A; 100V

207,81 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Трансформатор: литий; 0,5ВА; 230ВAC; 7,5В; 67мА; PCB; IP00; TEZ
Трансформатор: литий; 0,5ВА; 230ВAC; 7,5В; 67мА; PCB; IP00; TEZ

226,18 грн

Виводи вторинної обмотки:
6-7
Виводи первинної обмотки:
1-4
Відповідність стандарту:
PN EN 61558-1:2000; PN EN 61558-2-1:2000; PN EN 61558-2-6:2000
Вторинна напруга 1:
7,5В
Недоступний
З`єднання: на рейку; PT; PA; L: 45,8мм; затиски: 4; W: 5,2мм; H: 68мм
З`єднання: на рейку; PT; PA; L: 45,8мм; затиски: 4; W: 5,2мм; H: 68мм

230,61 грн

Висота:
68мм
Довжина:
45,8мм
Кількість клем:
4
Клас горючості:
UL94V-0
Резистор: thin film (Nichrome); 750Ом; SMD; MicroMELF; 0102; ±1%
Резистор: thin film (Nichrome); 750Ом; SMD; MicroMELF; 0102; ±1%

3,80 грн

Допуск:
±1%
Корпус:
MicroMELF
Корпус - дюйм:
0102
Корпус - мм:
2211
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 70; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 70; THT; 3A; 250V

1022,56 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 100кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 100кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

73,49 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 50А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 50А; SOT227B; пригвинчуваний

2433,48 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-10...20В
Модуль; одиночний транзистор; 60В; 400А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 60В; 400А; SOT227B; пригвинчуваний

1796,12 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга сток-джерело:
60В
Модуль; одиночний транзистор; 100В; 360А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 100В; 360А; SOT227B; пригвинчуваний

1315,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
525нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; транзистор/транзистор; 150В; 330А; HB9434; пригвинчуваний
Модуль; транзистор/транзистор; 150В; 330А; HB9434; пригвинчуваний

7621,65 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
HB9434
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга сток-джерело:
150В
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 112А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 112А; SOT227B; пригвинчуваний

1858,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
250нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 20А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 20А; SOT227B; пригвинчуваний

876,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
193нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; діод SiC/транзистор; 1,7кВ; 40А; SOT227; пригвинчуваний
Модуль; діод SiC/транзистор; 1,7кВ; 40А; SOT227; пригвинчуваний

2292,83 грн

Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227
Механічний монтаж:
пригвинчуваний