1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Transistor modules

Модуль; діод SiC/транзистор; 1,2кВ; 138А; SP3F; Press-in PCB; SiC

Модуль; діод SiC/транзистор; 1,2кВ; 138А; SP3F; Press-in PCB; SiC
Немає в наявності
Код товару: MSCSM120HM16CT3AG
20354,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2
Крок додавання: 2
Код товару: MSCSM120HM16CT3AG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Електричний монтаж: Press-in PCB
Корпус: SP3F
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 16мОм
Потужність розсіювання: 745Вт
Структура напівпровідника: діод SiC/транзистор
Струм стока: 138А
Струм стоку в імпульсі: 350А
Технологія: SiC
Тип напівпровідникового модуля: транзисторний MOSFET
Топологія: міст Н + паралельні діоди; термістор NTC
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 4,7мкФ; 35ВDC; SMD; B; 1210; ±10%; TAJ
Конденсатор: танталовий; 4,7мкФ; 35ВDC; SMD; B; 1210; ±10%; TAJ

10,96 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±10%
Ємність:
4,7мкФ
Корпус:
B
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0402

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Модуль; одиночний транзистор; 800В; 53А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 800В; 53А; SOT227B; пригвинчуваний

2320,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
250нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; пригвинчуваний

1839,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
255нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 37А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 37А; SOT227B; пригвинчуваний

1912,70 грн

Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 75А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 75А; SOT227B; пригвинчуваний

2273,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
240нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 850В; 65А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 850В; 65А; SOT227B; пригвинчуваний

2423,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
230нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 44А; ISOTOP; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 44А; ISOTOP; пригвинчуваний

2289,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
ISOTOP