1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Transistor modules

Модуль; діод SiC/транзистор; 1,2кВ; 23А; SP1; Press-in PCB; 657Вт

Модуль; діод SiC/транзистор; 1,2кВ; 23А; SP1; Press-in PCB; 657Вт
Немає в наявності
Код товару: APTM120DA30CT1G
4628,11 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 12
Крок додавання: 12
Код товару: APTM120DA30CT1G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Електричний монтаж: Press-in PCB
Корпус: SP1
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 0,36Ом
Потужність розсіювання: 657Вт
Структура напівпровідника: діод SiC/транзистор
Струм стока: 23А
Струм стоку в імпульсі: 195А
Технологія: POWER MOS 8®; SiC
Тип напівпровідникового модуля: транзисторний MOSFET
Топологія: boost chopper; термістор NTC
Недоступний
Реактор: повітряна котушка; SMD; 0402; 27нГн; 350мА; R: 0,46Ом; ±5%
Реактор: повітряна котушка; SMD; 0402; 27нГн; 350мА; R: 0,46Ом; ±5%

1,01 грн

Високосортність:
8
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
27нГн
Сумка; для інструменту; 440x180x270мм
Сумка; для інструменту; 440x180x270мм

6993,17 грн

Розміри (Ш. x В. x Г.):
440x180x270мм
Тип контейнера:
сумка, для інструменту
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO / NC; 0÷10мм; 10÷30ВDC; M18
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO / NC; 0÷10мм; 10÷30ВDC; M18

7537,39 грн

Дальність:
0...10мм
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
NPN / NO / NC
Недоступний
Connector: IDC; socket; male; data; PIN: 64; SEK; angled; 1A; THT; 2x32
Connector: IDC; socket; male; data; PIN: 64; SEK; angled; 1A; THT; 2x32

304,74 грн

Connector family:
data
Engineering PN:
SEK-18 SV MA STD ANG45 RKZ 64P PL3
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина відводів:
4,5мм
Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 25А; AG-EASY1BM-2; Idm: 50А
Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 25А; AG-EASY1BM-2; Idm: 50А

3062,60 грн

Електричний монтаж:
Press-Fit
Корпус:
AG-EASY1BM-2
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-10...20В
Модуль; одиночний транзистор; 300В; 210А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 300В; 210А; SOT227B; пригвинчуваний

2569,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
375нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; пригвинчуваний

2883,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 200В; 180А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 200В; 180А; SOT227B; пригвинчуваний

1843,01 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-20...20В
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 33А; ISOTOP; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 33А; ISOTOP; пригвинчуваний

1337,43 грн

Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
ISOTOP
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 200В; 210А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 200В; 210А; SOT227B; пригвинчуваний

2343,52 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-20...20В
Модуль; одиночний транзистор; 1,1кВ; 34А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,1кВ; 34А; SOT227B; пригвинчуваний

1438,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
310нКл
Корпус:
SOT227B