Модуль; діод SiC/транзистор; 700В; 538А; SP6C; SiC; пригвинчуваний

Немає в наявності
Код товару: MSCSM70AM025CT6AG
32282,73 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2
Крок додавання: 2
Код товару: MSCSM70AM025CT6AG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Електричний монтаж: конектори FASTON; пригвинчуваний
Корпус: SP6C
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга сток-джерело: 700В
Опір в стані провідності: 2,5мОм
Структура напівпровідника: діод SiC/транзистор
Струм стока: 538А
Технологія: SiC
Тип напівпровідникового модуля: транзисторний MOSFET
Топологія: півмісток MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,56 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,5пФ
Кабель: до датчиків; неекранований; 500мм; вилка; MINI; IP67
Кабель: до датчиків; неекранований; 500мм; вилка; MINI; IP67

12533,59 грн

Довжина кабелю:
0,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
еластомер термопластичний TPE
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
жовтий
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,8пФ
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 4А; Idm: 16А; 139Вт; D3PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 4А; Idm: 16А; 139Вт; D3PAK

726,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK
Недоступний
Мікроперемикач TACT; SPST; Поз: 2; 50мA/12ВDC; THT; немає; 1Н; 6x6мм
Мікроперемикач TACT; SPST; Поз: 2; 50мA/12ВDC; THT; немає; 1Н; 6x6мм

2,88 грн

Виводи:
для друку; короткі піни
Вид упаковки:
сумка
Висота кнопки:
6мм
Електрична стійкість:
100000 цикли
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,4пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,4пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,4пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,16 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,9пФ
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; пригвинчуваний

2872,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 200В; 180А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 200В; 180А; SOT227B; пригвинчуваний

1832,24 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-20...20В
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 33А; ISOTOP; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 33А; ISOTOP; пригвинчуваний

1337,43 грн

Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
ISOTOP
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 200В; 210А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 200В; 210А; SOT227B; пригвинчуваний

2330,21 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-20...20В
Модуль; одиночний транзистор; 1,1кВ; 34А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,1кВ; 34А; SOT227B; пригвинчуваний

1438,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
310нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 110А; HB9434; Idm: 400А; SiC
Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 110А; HB9434; Idm: 400А; SiC

8846,31 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
HB9434
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-5...20В
Модуль; одиночний транзистор; 150В; 180А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 150В; 180А; SOT227B; пригвинчуваний

1699,19 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-20...20В