Модуль; діод/транзистор; 200В; 66А; SP4; Idm: 356А; 357Вт; Ugs: ±30В

Немає в наявності
Код товару: APTM20HM20STG
7787,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 8
Крок додавання: 8
Код товару: APTM20HM20STG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Електричний монтаж: конектори FASTON; пригвинчуваний
Корпус: SP4
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 24мОм
Потужність розсіювання: 357Вт
Структура напівпровідника: діод/транзистор
Струм стока: 66А
Струм стоку в імпульсі: 356А
Технологія: POWER MOS 7®
Тип напівпровідникового модуля: транзисторний MOSFET
Топологія: міст Н + паралельні діоди + послідовні діоди; термістор NTC
Недоступний
Діод: TVS; 6,5кВт; 47,8В; 93А; двоспрямована; Ch: 1; -55÷150°C; MPLAD
Діод: TVS; 6,5кВт; 47,8В; 93А; двоспрямована; Ch: 1; -55÷150°C; MPLAD

269,26 грн

Зворотна напруга макс.:
43В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
47,8В
Модуль; одиночний транзистор; 300В; 210А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 300В; 210А; SOT227B; пригвинчуваний

2569,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
375нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; пригвинчуваний

2883,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 200В; 180А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 200В; 180А; SOT227B; пригвинчуваний

1843,01 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-20...20В
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 33А; ISOTOP; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 500В; 33А; ISOTOP; пригвинчуваний

1337,43 грн

Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
ISOTOP
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 200В; 210А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 200В; 210А; SOT227B; пригвинчуваний

2343,52 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-20...20В
Модуль; одиночний транзистор; 1,1кВ; 34А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1,1кВ; 34А; SOT227B; пригвинчуваний

1438,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
310нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 110А; HB9434; Idm: 400А; SiC
Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 110А; HB9434; Idm: 400А; SiC

8879,89 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
HB9434
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-5...20В