Модуль; діод/транзистор; 500В; 250А; SP6C; Idm: 1340А; 3,29кВт

Немає в наявності
Код товару: APTM50UM13SAG
15733,04 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 4
Крок додавання: 4
Код товару: APTM50UM13SAG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Електричний монтаж: конектори FASTON; пригвинчуваний
Корпус: SP6C
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 15мОм
Потужність розсіювання: 3,29кВт
Структура напівпровідника: діод/транзистор
Струм стока: 250А
Струм стоку в імпульсі: 1340А
Технологія: POWER MOS 7®
Тип напівпровідникового модуля: транзисторний MOSFET
Топологія: одиночний транзистор + послідовний діод + паралельний діод
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402; 180мм

0,42 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Модуль; одиночний транзистор; 60В; 300А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 60В; 300А; SOT227B; пригвинчуваний

1661,18 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга сток-джерело:
60В
Модуль; одиночний транзистор; 250В; 168А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 250В; 168А; SOT227B; пригвинчуваний

1288,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
364нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 110А; SOT227B; Idm: 400А; SiC
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 110А; SOT227B; Idm: 400А; SiC

4325,90 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-5...20В
Модуль; одиночний транзистор; 150В; 220А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 150В; 220А; SOT227B; пригвинчуваний

2213,00 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-20...20В
Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; пригвинчуваний

3169,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
264нКл
Корпус:
SOT227B
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 125А; SOT227B; Idm: 500А; SiC
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 125А; SOT227B; Idm: 500А; SiC

10018,39 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-10...20В
Модуль; одиночний транзистор; 100В; 320А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 100В; 320А; SOT227B; пригвинчуваний

1961,48 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Корпус:
SOT227B
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор-джерело:
-20...20В