Модуль: діодний; подвійна лінійна; 1,6кВ; If: 60А; 21MM; Ufmax: 1,5В

Немає в наявності
Код товару: SDD60N16B
605,04 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SDD60N16B
Виробник: SIRECTIFIER
Властивості напівпровідникових елементів: glass passivated
Електричний монтаж: пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.: 1,6кВ
Корпус: 21MM
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Пряма напруга макс.: 1,5В
Структура напівпровідника: подвійна лінійна
Струм в імпульсі макс.: 1кА
Струм провідності: 60А
Струм провідності макс.: 100А
Тип напівпровідникового модуля: діодний
Недоступний
Діод: CRD; одиночний діод; DO213AB,MELF glass; 0,5Вт; 6÷100В; ±10%
Діод: CRD; одиночний діод; DO213AB,MELF glass; 0,5Вт; 6÷100В; ±10%

6692,23 грн

Допуск:
±10%
Корпус:
DO213AB; MELF glass
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 16; soldering
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 16; soldering

159,66 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина відводів:
2,997мм
Електричний монтаж:
паяння
Недоступний
Роз’єм: провід-провід; гніздо; гніздовий; PIN: 1; Iном: 8,5А; 18AWG
Роз’єм: провід-провід; гніздо; гніздовий; PIN: 1; Iном: 8,5А; 18AWG

0,00 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
компресійний
Кількість пін:
1
Колір:
чорний
Резистор: thick film; 390кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; 3,2x2,6x0,6мм
Резистор: thick film; 390кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; 3,2x2,6x0,6мм

0,44 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
IC: аудіопідсилювач; Pвих: 2,5Вт; термічний захист; Ch: 1
IC: аудіопідсилювач; Pвих: 2,5Вт; термічний захист; Ch: 1

27,69 грн

Вихідна потужність:
2,5Вт
Властивості інтегральних мікросхем:
термічний захист
Кількість каналів:
1
Клас підсилювачів:
D
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; вилка; роз'єм живлення
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; вилка; роз'єм живлення

152,05 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Висота:
15мм
Довжина:
33,8мм
Електричний монтаж:
самофіксуючий затиск
Недоступний
Резистор: thick film; 25,5кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; 5000шт.
Резистор: thick film; 25,5кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; 5000шт.

0,30 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
3,2x1,6x0,55мм
Модуль: діодний; подвійний,спільний катод; 15В; If: 40Аx2; PRM2
Модуль: діодний; подвійний,спільний катод; 15В; If: 40Аx2; PRM2

976,94 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
Шотткі
Електричний монтаж:
THT
Зворотна напруга макс.:
15В
Модуль: діодний; подвійна лінійна; 1,6кВ; If: 75А; SEMIPACK1
Модуль: діодний; подвійна лінійна; 1,6кВ; If: 75А; SEMIPACK1

1544,60 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,6кВ
Корпус:
SEMIPACK1
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: діодний; подвійна незалежна; 1,2кВ; If: 100Аx2; SOT227B
Модуль: діодний; подвійна незалежна; 1,2кВ; If: 100Аx2; SOT227B

3015,72 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
Шотткі
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SOT227B
Модуль: діодний; подвійна лінійна; 2,2кВ; If: 160А; SEMIPACK2; A23
Модуль: діодний; подвійна лінійна; 2,2кВ; If: 160А; SEMIPACK2; A23

7116,08 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
2,2кВ
Корпус:
SEMIPACK2
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: діодний; подвійний,спільний анод; 1,2кВ; If: 150А; A52
Модуль: діодний; подвійний,спільний анод; 1,2кВ; If: 150А; A52

3597,32 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMIPACK2
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: діодний; подвійна лінійна; 1,8кВ; If: 59А; TO240AA; 100А
Модуль: діодний; подвійна лінійна; 1,8кВ; If: 59А; TO240AA; 100А

1358,97 грн

Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,8кВ
Корпус:
TO240AA
Модуль: діодний; подвійний,спільний катод; 1,2кВ; If: 200Аx2; SiC
Модуль: діодний; подвійний,спільний катод; 1,2кВ; If: 200Аx2; SiC

3741,77 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
Шотткі
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
Twin tower B