1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Тиристори
  4. Модулі тиристорні
  5. Модулі діодно-тиристорні

Модуль: діодно-тиристорний; 2,2кВ; 55А; TO240AA; Ufmax: 1,2В

Модуль: діодно-тиристорний; 2,2кВ; 55А; TO240AA; Ufmax: 1,2В
Немає в наявності
Код товару: MCNA55PD2200TB
1894,33 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MCNA55PD2200TB
Виробник: IXYS
Вид упаковки: розсипний
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Електричний монтаж: конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.: 2,2кВ
Корпус: TO240AA
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Пряма напруга макс.: 1,2В
Структура напівпровідника: подвійна лінійна
Струм в імпульсі макс.: 1кА
Струм провідності: 55А
Струм провідності макс.: 86А
Тип напівпровідникового модуля: діодно-тиристорний
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; THT; 3A; 250V

179,30 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
16мм
Недоступний
Резистор: thick film; 53,6кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В
Резистор: thick film; 53,6кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Джгут проводів; діоди LED; -25÷100°C; 2,8А; 0,458м; 130В; 18AWG
Джгут проводів; діоди LED; -25÷100°C; 2,8А; 0,458м; 130В; 18AWG

0,00 грн

Type of optoelectronics accessories:
джгут проводів
Використання:
діоди LED
Діаметр жили:
18AWG
Довжина проводу:
0,458м
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 0БFLASH,360кБSRAM; TFBGA129; 1,71÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер ARM; 0БFLASH,360кБSRAM; TFBGA129; 1,71÷3,6ВDC

358,59 грн

Вид архітектури:
Cortex M4
Інтерфейс:
EBI; EMI; I2C; SDMMC; Smart Card; SPI; UART; USART; USB
Кількість входів/виходів:
64
Корпус:
TFBGA129
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 51,1Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 51,1Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

12,42 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Модуль: діодно-тиристорний; 2,2кВ; 70А; A47; SEMIPACK1; Ufmax: 1,9В
Модуль: діодно-тиристорний; 2,2кВ; 70А; A47; SEMIPACK1; Ufmax: 1,9В

2828,82 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
2,2кВ
Корпус:
SEMIPACK1
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: діодно-тиристорний; 1,6кВ; 60А; 21MM; Ufmax: 1,57В
Модуль: діодно-тиристорний; 1,6кВ; 60А; 21MM; Ufmax: 1,57В

780,54 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,6кВ
Корпус:
21MM
Модуль: діодно-тиристорний; 1,6кВ; 130А; A22; SEMIPACK2; Igt: 150мА
Модуль: діодно-тиристорний; 1,6кВ; 130А; A22; SEMIPACK2; Igt: 150мА

3452,87 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,6кВ
Корпус:
SEMIPACK2
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: діодно-тиристорний; 1,6кВ; 95А; A47; SEMIPACK1; Ifsm: 2кА
Модуль: діодно-тиристорний; 1,6кВ; 95А; A47; SEMIPACK1; Ifsm: 2кА

1445,77 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,6кВ
Корпус:
SEMIPACK1
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: діодно-тиристорний; 1,6кВ; 92А; BG-PB20-1; Ufmax: 1,62В
Модуль: діодно-тиристорний; 1,6кВ; 92А; BG-PB20-1; Ufmax: 1,62В

6753,68 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,6кВ
Корпус:
BG-PB20-1
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: діодно-тиристорний; 1,6кВ; 215А; SEMIPACK2; Ufmax: 1,5В
Модуль: діодно-тиристорний; 1,6кВ; 215А; SEMIPACK2; Ufmax: 1,5В

3597,32 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,6кВ
Корпус:
SEMIPACK2
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: діодно-тиристорний; 1,8кВ; 95А; A47; SEMIPACK1; Ifsm: 2кА
Модуль: діодно-тиристорний; 1,8кВ; 95А; A47; SEMIPACK1; Ifsm: 2кА

2050,18 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,8кВ
Корпус:
SEMIPACK1
Механічний монтаж:
пригвинчуваний