1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Тиристори
  4. Модулі тиристорні
  5. Модулі діодно-тиристорні

Модуль: діодно-тиристорний; 800В; 287Аx2; W102; Ufmax: 1,36В

Модуль: діодно-тиристорний; 800В; 287Аx2; W102; Ufmax: 1,36В
Немає в наявності
Код товару: MCD250-08IO1
4282,82 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MCD250-08IO1
Виробник: IXYS
Вид упаковки: розсипний
Електричний монтаж: конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.: 0,8кВ
Корпус: W102
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Поріг напруги спрацьовування: 0,85В
Пряма напруга макс.: 1,36В
Структура напівпровідника: подвійна лінійна
Струм вентиля: 150/200мА
Струм в імпульсі макс.: 9кА
Струм провідності: 287А x2
Струм провідності макс.: 450А
Тип напівпровідникового модуля: діодно-тиристорний
Недоступний
Резистор: thin film; 71,5кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 71,5кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Резистор: thin film; 3,01кОм; 0805; 130мВт; ±0,1%; RT; 2x0,5мм
Резистор: thin film; 3,01кОм; 0805; 130мВт; ±0,1%; RT; 2x0,5мм

1,36 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
3,01кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 3,9кОм; SMD; 1206; 660мВт; ±5%; ERJP08J
Резистор: thick film; 3,9кОм; SMD; 1206; 660мВт; ±5%; ERJP08J

1,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Модуль: діодно-тиристорний; 800В; 60А; TO240AA; Ufmax: 1,24В
Модуль: діодно-тиристорний; 800В; 60А; TO240AA; Ufmax: 1,24В

503,04 грн

Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
TO240AA
Модуль: діодно-тиристорний; 1,6кВ; 160А; A22; SEMIPACK2; Igt: 150мА
Модуль: діодно-тиристорний; 1,6кВ; 160А; A22; SEMIPACK2; Igt: 150мА

2873,80 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,6кВ
Корпус:
SEMIPACK2
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: діодно-тиристорний; 1,8кВ; 40А; A47; SEMIPACK1; Ifsm: 1кА
Модуль: діодно-тиристорний; 1,8кВ; 40А; A47; SEMIPACK1; Ifsm: 1кА

1255,70 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,8кВ
Корпус:
SEMIPACK1
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: діодно-тиристорний; 1,6кВ; 120А; BG-SB20-1; Ufmax: 1,75В
Модуль: діодно-тиристорний; 1,6кВ; 120А; BG-SB20-1; Ufmax: 1,75В

1514,83 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,6кВ
Корпус:
BG-SB20-1
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: діодно-тиристорний; 1,8кВ; 181А; Y4-M6; Ufmax: 1,03В
Модуль: діодно-тиристорний; 1,8кВ; 181А; Y4-M6; Ufmax: 1,03В

3376,84 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,8кВ
Модуль: діодно-тиристорний; 1,2кВ; 60А; SOT227B; Ufmax: 1,09В
Модуль: діодно-тиристорний; 1,2кВ; 60А; SOT227B; Ufmax: 1,09В

1372,28 грн

Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SOT227B
Модуль: діодно-тиристорний; 1,2кВ; 95А; A47; SEMIPACK1; Ifsm: 2кА
Модуль: діодно-тиристорний; 1,2кВ; 95А; A47; SEMIPACK1; Ifsm: 2кА

1599,09 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMIPACK1
Механічний монтаж:
пригвинчуваний