Модуль: IGBT; діод/транзистор; 3-рівневий 1-фазовий інвертор

Немає в наявності
Код товару: APTGLQ50TL65T3G
4211,23 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 14
Крок додавання: 14
Код товару: APTGLQ50TL65T3G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Використання: фотоелектрика
Електричний монтаж: Press-in PCB
Зворотна напруга макс.: 650В
Корпус: SP3F
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Структура напівпровідника: діод/транзистор
Струм колектора: 50А
Струм колектора в імпульсі: 140А
Технологія: Field Stop; Trench
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: 3-рівневий 1-фазовий інвертор; термістор NTC
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 171В; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1; 1.5SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 171В; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1; 1.5SMC

12,86 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
154В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
Датчик: зчитувач штрих-кодів; V420-F; 400мм
Датчик: зчитувач штрих-кодів; V420-F; 400мм

0,00 грн

Властивості датчиків:
narrow field of view – 16 mm focal length lens
Програмне забезпечення:
High Speed, X-Mode
Розрішення:
1.2MP
Серія виробника:
V420-F
Недоступний
Резистор: thick film; 330Ом; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 330Ом; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,51 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
330Ом
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; біполярний; THT; 1000мкФ; 25ВDC
Конденсатор: електролітичний; біполярний; THT; 1000мкФ; 25ВDC

56,39 грн

Вид конденсатора:
біполярний
Висота:
25мм
Діаметр:
16мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 0.5mm; GKS-100; CuBe; 2N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 0.5mm; GKS-100; CuBe; 2N; push-in; 20mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
0,5мм
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 2,1кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 2,1кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,7кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,7кВ

5880,01 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,7кВ
Корпус:
SEMITRANS2
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А

1171,44 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITOP2
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

4193,49 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS2
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ

6209,46 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,7кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 30А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 30А

331,35 грн

Електричний монтаж:
SMT
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SMPD-B
Напруга затвор - емітер:
±20В
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 35А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 35А

2145,85 грн

Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
L3.0
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 55А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 55А

1976,69 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITOP3