Модуль: IGBT; діод/транзистор; 3-рівневий 1-фазовий інвертор

Немає в наявності
Код товару: GD100MLX65L3S
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 16
Крок додавання: 16
Код товару: GD100MLX65L3S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Електричний монтаж: Press-in PCB
Зворотна напруга макс.: 650В
Корпус: L3.1
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Структура напівпровідника: діод/транзистор
Струм колектора: 100А
Струм колектора в імпульсі: 200А
Технологія: Trench FS IGBT
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: 3-рівневий 1-фазовий інвертор; термістор NTC
Недоступний
Тиристор: Sidak; 1А; TO92; 240÷280В; THT; Ammo Pack; двоспрямована
Тиристор: Sidak; 1А; TO92; 240÷280В; THT; Ammo Pack; двоспрямована

70,96 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга перемикання:
240...280В
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 1; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 1; THT; 3A; 250V

5,70 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
15,6мм
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 200В; 2А; Ifsm: 20А; Ufmax: 1,4В; Ir: 500нА; 30нс
Діод: випрямний; THT; 200В; 2А; Ifsm: 20А; Ufmax: 1,4В; Ir: 500нА; 30нс

383,30 грн

Зворотна напруга макс.:
200В
Монтаж:
THT
Пряма напруга макс.:
1,4В
Струм витоку:
0,5мкА
Недоступний
Резистор: thin film; 750кОм; THT; 600мВт; ±1%; Ø2,5x6,8мм; осьові
Резистор: thin film; 750кОм; THT; 600мВт; ±1%; Ø2,5x6,8мм; осьові

1,18 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама" кутовий; 15м; PUR
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама" кутовий; 15м; PUR

2062,22 грн

Довжина кабелю:
15м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Конструкція кабелю/переходу:
М12 "мама" кутовий
Резистор: thin film; 634Ом; 2,06x1,27x0,51мм
Резистор: thin film; 634Ом; 2,06x1,27x0,51мм

22,05 грн

Модель:
ESD
Опір:
634Ом
Розміри корпусу:
2,06x1,27x0,51мм
Тип резистора:
thin film
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 5; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 5; THT; 3A; 250V

169,16 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

14012,94 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; діод/транзистор; 3-рівневий 1-фазовий інвертор
Модуль: IGBT; діод/транзистор; 3-рівневий 1-фазовий інвертор

9882,17 грн

Електричний монтаж:
Press-Fit; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
650В
Корпус:
AG-ECONO4-1
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

9344,92 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
AG-62MM-1
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 900В; Ic: 27А; SOT227B
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 900В; Ic: 27А; SOT227B

2287,76 грн

Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
900В
Корпус:
SOT227B
Модуль: IPM; 2-pack-integrated intelligent Power System; Trench
Модуль: IPM; 2-pack-integrated intelligent Power System; Trench

123721,64 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Використання:
for medium and high power application
Вихідний струм:
1,2кА
клас напруги:
1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

3772,18 грн

Використання:
для UPS; інвертор
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
V3 62MM
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 23А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 23А

3388,88 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITOP3