Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper,термістор NTC; SP1

Немає в наявності
Код товару: APTGTQ100DA65T1G
3155,44 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 18
Крок додавання: 18
Код товару: APTGTQ100DA65T1G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Використання: двигуни
Електричний монтаж: Press-in PCB
Зворотна напруга макс.: 650В
Корпус: SP1
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Структура напівпровідника: діод/транзистор
Струм колектора: 60А
Струм колектора в імпульсі: 200А
Технологія: Field Stop; Trench
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: boost chopper; термістор NTC
Недоступний
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 1м; NPN; DARK-ON; 30мА; PBT
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 1м; NPN; DARK-ON; 30мА; PBT

8594,63 грн

Дальність:
1м
Довжина відводів:
2м
Довжина хвилі λd:
860нм
Зовнішні розміри:
9,5x18,5x7мм
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 15мкФ; 450ВDC; Ø10x20мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 15мкФ; 450ВDC; Ø10x20мм; ±20%

12,73 грн

Висота:
20мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Ємність:
15мкФ
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 250мА
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 250мА

843,18 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
0,25А
Вхідна напруга:
9...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFD; 0,68мкФ; 450ВDC; THT; ±10%
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFD; 0,68мкФ; 450ВDC; THT; ±10%

15,90 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
0,68мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
7,5мм
Недоступний
Діод: TVS; 223В; 3кА; двоспрямована; Ch: 1; розсипний; 2,4нФ
Діод: TVS; 223В; 3кА; двоспрямована; Ch: 1; розсипний; 2,4нФ

2304,65 грн

Вид упаковки:
розсипний
Ємність:
2,4нФ
Зворотна напруга макс.:
208В
Кількість каналів:
1
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

5052,76 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS2
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 50А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 50А

15564,97 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS6
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

7032,43 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS2
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

6730,88 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
AG-62MM-1
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

3417,71 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS2
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,7кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,7кВ

9961,71 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,7кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

2677,15 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITOP3