Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper,термістор NTC; SP4

Немає в наявності
Код товару: APTGT50DA120TG
4000,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 14
Крок додавання: 14
Код товару: APTGT50DA120TG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Використання: двигуни
Електричний монтаж: конектори FASTON; паяння
Зворотна напруга макс.: 1,2кВ
Корпус: SP4
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Структура напівпровідника: діод/транзистор
Струм колектора: 50А
Струм колектора в імпульсі: 100А
Технологія: Field Stop; Trench
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: boost chopper; термістор NTC
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 33мкФ; 350ВDC; Ø16x25мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 33мкФ; 350ВDC; Ø16x25мм; ±20%

51,31 грн

Висота:
25мм
Діаметр:
16мм
Допуск:
±20%
Ємність:
33мкФ
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 6,8мкФ; 400ВDC; Ø10x16мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 6,8мкФ; 400ВDC; Ø10x16мм; ±20%

16,79 грн

Висота:
16мм
Властивості конденсаторів:
висока довговічність
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 4,7В; SMD; DO213AA; 5мкА; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 500мВт; 4,7В; SMD; DO213AA; 5мкА; ролик,cтрічка

167,24 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
4,7В
Корпус:
DO213AA
Недоступний
Резистор: дротяний; 2,4Ом; THT; 3Вт; ±5%; Ø5,7x13мм; осьові; L: 13мм
Резистор: дротяний; 2,4Ом; THT; 3Вт; ±5%; Ø5,7x13мм; осьові; L: 13мм

44,98 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
5,7мм
Довжина:
13мм
Допуск:
±5%
Автотрансформатор: регульований; 230ВAC; Uвих: 0÷260В; 12А
Автотрансформатор: регульований; 230ВAC; Uвих: 0÷260В; 12А

29176,88 грн

Type of autotransformer:
variable
Вихідна напруга:
0...260В
Клас герметичності:
IP20
Монтаж:
гвинтовий
Недоступний
Connector: PCB to PCB; socket; female; data; PIN: 70; har-flex®
Connector: PCB to PCB; socket; female; data; PIN: 70; har-flex®

97683,66 грн

Connector family:
data
Engineering PN:
har-flex str f 6.25mm 70p PL1 280pcs
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 68мкФ; 450ВDC; Ø13x60мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 68мкФ; 450ВDC; Ø13x60мм; ±20%

96,29 грн

Висота:
60мм
Діаметр:
13мм
Допуск:
±20%
Ємність:
68мкФ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT,термістор
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT,термістор

20670,94 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMiX® 3p
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 600В
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 600В

7765,38 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

3404,40 грн

Використання:
для UPS; інвертор
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
V3 62MM
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А

1578,67 грн

Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
F1.1
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 400А
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 400А

14832,02 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,7кВ
Корпус:
SEMITRANS4
Модуль: IGBT; 679Вт; Field Stop,Trench
Модуль: IGBT; 679Вт; Field Stop,Trench

3657,80 грн

Потужність розсіювання:
679Вт
Струм колектора в імпульсі:
330А
Технологія:
Field Stop; Trench
Тип напівпровідникового модуля:
IGBT
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

8874,63 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3