1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори і модулі IGBT
  5. Модулі IGBT

Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; D3

Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; D3
Немає в наявності
Код товару: APTGL475DA120D3G
11360,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5
Крок додавання: 5
Код товару: APTGL475DA120D3G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Використання: двигуни
Електричний монтаж: конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.: 1,2кВ
Корпус: D3
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Структура напівпровідника: діод/транзистор
Струм колектора: 475А
Струм колектора в імпульсі: 900А
Технологія: Field Stop; Trench
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: boost chopper
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1206

7,22 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: дротяний; 15кОм; THT; 10Вт; ±5%; Ø8,5x38,1мм; осьові
Резистор: дротяний; 15кОм; THT; 10Вт; ±5%; Ø8,5x38,1мм; осьові

110,87 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
8,5мм
Довжина:
38,1мм
Допуск:
±5%
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

21125,85 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А

4118,10 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
MiniSKiiP® 2
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

20563,89 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Module: gate driver board; IGBT half-bridge; pin header; 1.2kV
Module: gate driver board; IGBT half-bridge; pin header; 1.2kV

1633,94 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Вихідний струм:
6А
Властивості інтегральних мікросхем:
гальванічне відокремлення; інтегрований перетворювач DC/DC
клас напруги:
1,2кВ
Модуль: IGBT; термістор NTC; Urmax: 705В; інвертор
Модуль: IGBT; термістор NTC; Urmax: 705В; інвертор

28046,79 грн

Використання:
інвертор
Зворотна напруга макс.:
705В
Струм колектора в імпульсі:
400А
Тип напівпровідникового модуля:
IGBT
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

17446,80 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; місток H; Urmax: 600В; Ic: 17А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; місток H; Urmax: 600В; Ic: 17А

1163,20 грн

Використання:
двигуни
Електричний монтаж:
THT
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
ECO-PAC 2