Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А

Немає в наявності
Код товару: SKIIP 23NAB12T7V1 25231860
7711,62 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SKIIP 23NAB12T7V1 25231860
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Використання: для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж: Press-Fit
Зворотна напруга макс.: 1,2кВ
Корпус: MiniSKiiP® 2
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Структура напівпровідника: діод/транзистор
Струм колектора: 25А
Струм колектора в імпульсі: 50А
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: 3-фазни діодний міст; 3-фазний міст IGBT; boost chopper; термістор NTC
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT,термістор
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT,термістор

20670,96 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMiX® 3p
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

2249,12 грн

Використання:
для UPS; інвертор
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
V1
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 400А
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 400А

14832,13 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,7кВ
Корпус:
SEMITRANS4
Модуль: IGBT; 679Вт; Field Stop,Trench
Модуль: IGBT; 679Вт; Field Stop,Trench

3669,54 грн

Потужність розсіювання:
679Вт
Струм колектора в імпульсі:
330А
Технологія:
Field Stop; Trench
Тип напівпровідникового модуля:
IGBT
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

8874,82 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC
Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC

7460,10 грн

Вид виходу:
драйвер MOSFET
Використання:
for medium and high power application
Вихідний струм:
8А
клас напруги:
1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

14823,89 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3