1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори і модулі IGBT
  5. Модулі IGBT

Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А

Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А
Немає в наявності
Код товару: SK 60 GAL 125 24912560
7319,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SK 60 GAL 125 24912560
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Використання: для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж: Press-in PCB
Зворотна напруга макс.: 1,2кВ
Корпус: SEMITOP2
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Структура напівпровідника: діод/транзистор
Струм колектора: 50А
Струм колектора в імпульсі: 100А
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: boost chopper
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7пФ
Недоступний
Діод: TVS; 600Вт; 160В; 2,8А; двоспрямована; ±5%; DO214AA; TPSMB
Діод: TVS; 600Вт; 160В; 2,8А; двоспрямована; ±5%; DO214AA; TPSMB

54,49 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
136В
Недоступний
Діод: TVS; 6,5кВт; 20В; односпрямована; Ch: 1; MPLAD; -55÷150°C
Діод: TVS; 6,5кВт; 20В; односпрямована; Ch: 1; MPLAD; -55÷150°C

244,55 грн

Зворотна напруга макс.:
18В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
20В
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 400В; 5А; Ifsm: 100А; ролик,cтрічка; Ir: 1мкА
Діод: випрямний; THT; 400В; 5А; Ifsm: 100А; ролик,cтрічка; Ir: 1мкА

310,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Монтаж:
THT
Пряма напруга макс.:
1,2В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,59 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,2пФ
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 750нГн; ±20%; V; 11x10x3,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 750нГн; ±20%; V; 11x10x3,8мм

18,44 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
750нГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
11x10x3,8мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,10 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 20А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 20А

8376,21 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А

1808,80 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
MiniSKiiP® 1
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ; Ic: 15А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ; Ic: 15А

1902,56 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit
Зворотна напруга макс.:
1,6кВ
Корпус:
MiniSKiiP® 1
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT x3; Ic: 35А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT x3; Ic: 35А

2613,41 грн

Використання:
двигуни; інвертор
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
ACEPACK™1
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

1996,96 грн

Використання:
для UPS; інвертор
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
V1
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 650В; Ic: 200А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 650В; Ic: 200А

4241,64 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
650В
Корпус:
SEMITRANS2
Модуль: IGBT; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А; пригвинчуваний
Модуль: IGBT; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А; пригвинчуваний

4664,86 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер:
±20В