1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори і модулі IGBT
  5. Модулі IGBT

Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
Немає в наявності
Код товару: SKIIP 38GAL12E4V1 25241239
13415,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SKIIP 38GAL12E4V1 25241239
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Використання: для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж: Press-Fit
Зворотна напруга макс.: 1,2кВ
Корпус: MiniSKiiP® 3
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Структура напівпровідника: діод/транзистор
Струм колектора: 300А
Струм колектора в імпульсі: 900А
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: boost chopper
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 560мкФ; 10ВDC; Ø8x20мм
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 560мкФ; 10ВDC; Ø8x20мм

9,25 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
20мм
Властивості конденсаторів:
висока надійність; компактні розміри корпусу
Діаметр:
8мм
Недоступний
Долото; L: 260мм; W: 25мм
Долото; L: 260мм; W: 25мм

931,87 грн

Довжина:
260мм
Тип інструмента:
долото
Ширина:
25мм
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 50Вт; Uвх: 43÷101ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 4,17А
Перетворювач: DC/DC; 50Вт; Uвх: 43÷101ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 4,17А

5857,93 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
4,17А
Вхідна напруга:
43...101В DC
Зовнішні розміри:
57,9x36,8x12,7мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8нФ; 630В; U2J; ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8нФ; 630В; U2J; ±5%; SMD; 1206

1,92 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
U2J
Допуск:
±5%
Недоступний
PIN Діод ВЧ MA4P7101F-1072T
PIN Діод ВЧ MA4P7101F-1072T

16254,85 грн

Ємність переходу (Junction Capacitance, Cj/Ct):
1 пФ
Максимальна зворотна напруга (Reverse Voltage, Vr):
100 В
Тип і конфігурація діода:
PIN
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 220мкФ; 16ВDC; Ø6,3x11мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 220мкФ; 16ВDC; Ø6,3x11мм; ±20%

0,00 грн

Висота:
11мм
Діаметр:
6,3мм
Допуск:
±20%
Ємність:
220мкФ
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: 2-провідний NO; 0÷8мм; 10÷30ВDC; 5м; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: 2-провідний NO; 0÷8мм; 10÷30ВDC; 5м; IP67

4086,04 грн

Дальність:
0...8мм
Довжина відводів:
5м
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
2-провідний NO
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

5052,76 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS2
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 50А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 50А

15564,97 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS6
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

7032,43 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS2
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

6730,88 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
AG-62MM-1
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

3417,71 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS2
Модуль: IGBT; півмісток IGBT x3; Urmax: 3,3кВ; Ic: 1,2кА; HIPAK
Модуль: IGBT; півмісток IGBT x3; Urmax: 3,3кВ; Ic: 1,2кА; HIPAK

120962,07 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
3,3кВ
Корпус:
HIPAK
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; SOT227B
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; SOT227B

2431,35 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SOT227B