1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори і модулі IGBT
  5. Модулі IGBT

Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 50А

Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 50А
Немає в наявності
Код товару: GD50PIY120C6SN
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10
Крок додавання: 10
Код товару: GD50PIY120C6SN
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Електричний монтаж: Press-in PCB
Зворотна напруга макс.: 1,2кВ
Корпус: C6 62mm
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Структура напівпровідника: діод/транзистор
Струм колектора: 50А
Струм колектора в імпульсі: 100А
Технологія: Advanced Trench FS IGBT
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: 3-фазни діодний міст; 3-фазний міст IGBT вихід OE; boost chopper; термістор NTC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0201

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; місток H,термістор NTC
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; місток H,термістор NTC

6588,35 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITOP4
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

2470,63 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITOP3
Модуль: IGBT; Ic: 68А; 291Вт; Field Stop,Trench
Модуль: IGBT; Ic: 68А; 291Вт; Field Stop,Trench

1719,94 грн

Напруга затвор - емітер:
±20В
Потужність розсіювання:
291Вт
Струм колектора:
68А
Струм колектора в імпульсі:
68А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

2923,58 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS2
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 775А
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 775А

15400,26 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,7кВ
Корпус:
SEMITRANS4
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А

2067,09 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
MiniSKiiP® 1
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А

3247,93 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
MiniSKiiP® 1