Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 15А

Немає в наявності
Код товару: GD15PJX65L2S
1324,76 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GD15PJX65L2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Електричний монтаж: Press-in PCB
Зворотна напруга макс.: 650В
Корпус: L2.2
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Структура напівпровідника: діод/транзистор
Струм колектора: 15А
Струм колектора в імпульсі: 30А
Технологія: Trench FS IGBT
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: 3-фазни діодний міст; 3-фазний міст IGBT вихід OE; boost chopper; термістор NTC
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 256кБ; 48МГц; 2,7÷5,5ВDC; SMD; TQFP32
IC: мікроконтролер PIC; 256кБ; 48МГц; 2,7÷5,5ВDC; SMD; TQFP32

219,21 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CCL; DMAC; PoR; PTC; RTC; watchdog
Інтерфейс:
I2C; LIN; PMBus; RS485; SERCOM; SPI; USART
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 3.5mm; CuBe; Blade tip shape: serrated
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 3.5mm; CuBe; Blade tip shape: serrated

293,97 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
3,5мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
3,5мм
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 16кБ; 40МГц; 2÷5,5ВDC; THT; DIP40; PIC18
IC: мікроконтролер PIC; 16кБ; 40МГц; 2÷5,5ВDC; THT; DIP40; PIC18

441,59 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); HLVD; Phase locked loop; PoR; watchdog; XLP
Інтерфейс:
A/E/USART; ICSP; LIN; MSSP (SPI / I2C); RS232; RS485
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,30 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,5пФ
Недоступний
Модуль автоматики: розширення; OUT: 16; CJ1W; OUT 1: реле; 250ВAC
Модуль автоматики: розширення; OUT: 16; CJ1W; OUT 1: реле; 250ВAC

18259,02 грн

Виводи:
безгвинтові виводи
Вид виходу 1:
реле
Застосування - серія/виробник:
CJ
Зовнішні розміри:
90x31x89мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,8пФ
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 303мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 303мА

141,28 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
303мА
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; місток H,термістор NTC
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; місток H,термістор NTC

6588,96 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITOP4
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

2470,86 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITOP3
Модуль: IGBT; Ic: 68А; 291Вт; Field Stop,Trench
Модуль: IGBT; Ic: 68А; 291Вт; Field Stop,Trench

1720,10 грн

Напруга затвор - емітер:
±20В
Потужність розсіювання:
291Вт
Струм колектора:
68А
Струм колектора в імпульсі:
68А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

2923,85 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS2
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 775А
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 775А

15401,69 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,7кВ
Корпус:
SEMITRANS4
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А

2067,29 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
MiniSKiiP® 1
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А

3248,23 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
MiniSKiiP® 1