1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори і модулі IGBT
  5. Модулі IGBT

Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper,термістор; Ic: 300А

Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper,термістор; Ic: 300А
Немає в наявності
Код товару: SEMIX302GAR12E4S 27890222
14098,43 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SEMIX302GAR12E4S 27890222
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Використання: для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж: Press-Fit; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.: 1,2кВ
Корпус: SEMIX2S
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Структура напівпровідника: діод/транзистор
Струм колектора: 300А
Струм колектора в імпульсі: 900А
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: buck chopper; термістор
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А

9728,58 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS4
Модуль: IGBT; діод/транзистор; 3-рівневий 1-фазовий інвертор
Модуль: IGBT; діод/транзистор; 3-рівневий 1-фазовий інвертор

5764,80 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
SEMITOP4
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А

1525,46 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITOP2
Module: gate driver board; SKYPER®; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC; 15A
Module: gate driver board; SKYPER®; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC; 15A

64928,17 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Використання:
for medium and high power application
Вихідний струм:
15А
клас напруги:
1,7кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT,термістор
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT,термістор

21428,60 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMiX® 4s
Термістор NTC; 118Вт; SiC
Термістор NTC; 118Вт; SiC

4869,68 грн

Потужність розсіювання:
118Вт
Технологія:
SiC
Топологія:
термістор NTC
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59

9097,62 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS4