Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 34А

Немає в наявності
Код товару: MUBW75-17T8
11990,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MUBW75-17T8
Виробник: IXYS
Використання: двигуни
Електричний монтаж: Press-in PCB
Зворотна напруга макс.: 1,7кВ
Корпус: E3-Pack
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Потужність розсіювання: 450Вт
Структура напівпровідника: діод/транзистор
Струм колектора: 34А
Струм колектора в імпульсі: 60А
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: 3-фазни діодний міст; 3-фазний міст IGBT; buck chopper; термістор NTC
Недоступний
IC: цифровий; тригер D; Ch: 8; BiCMOS,TTL; SMD; SSOP20; ABT; 30мА
IC: цифровий; тригер D; Ch: 8; BiCMOS,TTL; SMD; SSOP20; ABT; 30мА

47,52 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
тригер D
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
8
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 50В; X8R; ±10%; SMD; 0805; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 50В; X8R; ±10%; SMD; 0805; 180мм

2,01 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8R
Допуск:
±10%
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; екранований,прямий; вилка; 150В
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; екранований,прямий; вилка; 150В

3636,60 грн

Довжина проводу:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR; TPU
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59

6492,66 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS4
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А

2128,11 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
MiniSKiiP® 1
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

10046,90 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; півмісток IGBT x3; Urmax: 3,3кВ; Ic: 1,2кА; HIPAK
Модуль: IGBT; півмісток IGBT x3; Urmax: 3,3кВ; Ic: 1,2кА; HIPAK

120962,52 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
3,3кВ
Корпус:
HIPAK
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC
Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC

7319,45 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Використання:
for medium and high power application
Вихідний струм:
8А
клас напруги:
1,7кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 150А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 150А

10282,58 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMIX®13
Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge
Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge

5307,91 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Вихідний струм:
35А
Властивості інтегральних мікросхем:
гальванічне відокремлення; інтегрований перетворювач DC/DC
клас напруги:
1,7кВ