Модуль: IGBT; діод/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; Trench

Немає в наявності
Код товару: VS-GT300YH120N
10888,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: VS-GT300YH120N
Виробник: VISHAY
Електричний монтаж: конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.: 1,2кВ
Корпус: Dual INT-A-Pak
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Структура напівпровідника: діод/транзистор
Струм колектора: 300А
Струм колектора в імпульсі: 720А
Технологія: Trench
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: напівміст MOSFET + послідовні діоди
Трансформатор: литий; 8÷16В; 79,2x54,4x68,1мм
Трансформатор: литий; 8÷16В; 79,2x54,4x68,1мм

999,75 грн

Вторинна напруга 1:
8...16В
Зовнішні розміри:
79,2x54,4x68,1мм
Тип трансформатора:
литий
Недоступний
Діод: TVS; 1кВт; 43В; 16,9А; односпрямована; ±5%; DO214AA; 1KSMB
Діод: TVS; 1кВт; 43В; 16,9А; односпрямована; ±5%; DO214AA; 1KSMB

14,83 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
36,8В
Недоступний
Трансформатор: литий; 20ВА; 230ВAC; 24В; 834мА; PCB; BVEI
Трансформатор: литий; 20ВА; 230ВAC; 24В; 834мА; PCB; BVEI

1036,49 грн

Відповідність стандарту:
PN EN 61558-2-6:2000; UL 5085-1; UL 5085-3
Вторинна напруга 1:
24В
Зовнішні розміри:
56,8x47,7x43,2мм
Монтаж:
PCB
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0805; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0805; 330мм

0,42 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А

9728,22 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS4
Модуль: IGBT; діод/транзистор; 3-рівневий 1-фазовий інвертор
Модуль: IGBT; діод/транзистор; 3-рівневий 1-фазовий інвертор

5764,71 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
SEMITOP4
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А

1524,96 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITOP2
Module: gate driver board; SKYPER®; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC; 15A
Module: gate driver board; SKYPER®; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC; 15A

64928,49 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Використання:
for medium and high power application
Вихідний струм:
15А
клас напруги:
1,7кВ
Термістор NTC; 118Вт; SiC
Термістор NTC; 118Вт; SiC

4885,33 грн

Потужність розсіювання:
118Вт
Технологія:
SiC
Топологія:
термістор NTC
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59

9126,34 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS4
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

5425,75 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS2