Модуль: IGBT; діод/транзистор,загальний вхід,загальний емітер

Немає в наявності
Код товару: 5SNE 1600E170300
77415,83 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: 5SNE 1600E170300
Виробник: ABB
Електричний монтаж: пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.: 1,7кВ
Корпус: HIPAK
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Структура напівпровідника: діод/транзистор; загальний вхід; загальний емітер
Струм колектора: 1,6кА
Струм колектора в імпульсі: 3,2кА
Технологія: SPT+
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: boost chopper; buck chopper
Недоступний
Діод: зенера; 150мВт; 3,9В; SMD; SC79,SOD523; одиночний діод
Діод: зенера; 150мВт; 3,9В; SMD; SC79,SOD523; одиночний діод

13,30 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зенерівська напруга:
3,9В
Корпус:
SC79; SOD523
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: PCB to PCB; socket; male; data; PIN: 20; vertical; 500mA
Connector: PCB to PCB; socket; male; data; PIN: 20; vertical; 500mA

74,13 грн

Connector family:
data
Engineering PN:
CL0576-0041-8-71
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
лоток
Недоступний
Резистор: дротяний; 15кОм; THT; 7Вт; ±5%; Ø8,5x22мм; осьові; L: 22мм
Резистор: дротяний; 15кОм; THT; 7Вт; ±5%; Ø8,5x22мм; осьові; L: 22мм

108,97 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
8,5мм
Довжина:
22мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 8мА; 360мВт
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 8мА; 360мВт

4797,27 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Опір в стані провідності:
60Ом
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0201

0,04 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Connector: wire-wire/PCB; socket; male; data; DF1B; 3A; 250V; PIN: 14
Connector: wire-wire/PCB; socket; male; data; DF1B; 3A; 250V; PIN: 14

16,03 грн

Connector family:
data
Engineering PN:
CL0541-2022-0-00
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: PNP/NPN/push pull NO/NC; 2мм; 10÷30ВDC
Датчик: індуктивний; OUT: PNP/NPN/push pull NO/NC; 2мм; 10÷30ВDC

1950,08 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
2мм
Довжина відводів:
2м
Загальна довжина:
46мм
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT,термістор
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT,термістор

20670,96 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMiX® 3p
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

3402,18 грн

Використання:
для UPS; інвертор
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
V3 62MM
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А

1578,82 грн

Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
F1.1
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 400А
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 400А

14832,13 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,7кВ
Корпус:
SEMITRANS4
Модуль: IGBT; 679Вт; Field Stop,Trench
Модуль: IGBT; 679Вт; Field Stop,Trench

3669,54 грн

Потужність розсіювання:
679Вт
Струм колектора в імпульсі:
330А
Технологія:
Field Stop; Trench
Тип напівпровідникового модуля:
IGBT
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

8874,82 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC
Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC

7460,10 грн

Вид виходу:
драйвер MOSFET
Використання:
for medium and high power application
Вихідний струм:
8А
клас напруги:
1,2кВ