Модуль: IGBT; одиночний транзистор; одиночний транзистор; D6

Немає в наявності
Код товару: GD100SGY120D6S
1075,14 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GD100SGY120D6S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Електричний монтаж: пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.: 1,2кВ
Корпус: D6
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Структура напівпровідника: одиночний транзистор
Струм колектора: 100А
Струм колектора в імпульсі: 200А
Технологія: Advanced Trench FS IGBT
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: одиночний транзистор
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THR,THT; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THR,THT; 3A

195,77 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
10,4мм
Недоступний
Резистор: thin film; 26,7Ом; THT; 500мВт; ±1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 26,7Ом; THT; 500мВт; ±1%; Ø3,7x10мм; осьові

34,21 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thin film; 82Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 82Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%

2,65 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge
Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge

5307,91 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Вихідний струм:
35А
Властивості інтегральних мікросхем:
гальванічне відокремлення; інтегрований перетворювач DC/DC
клас напруги:
1,7кВ
Модуль: IGBT; термістор NTC; Ic: 101А; 234Вт
Модуль: IGBT; термістор NTC; Ic: 101А; 234Вт

3623,93 грн

Напруга затвор - емітер:
±20В
Потужність розсіювання:
234Вт
Струм колектора:
101А
Струм колектора в імпульсі:
101А
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59

6492,66 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS4
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А

2128,11 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
MiniSKiiP® 1
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

10046,90 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B

1631,40 грн

Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SOT227B
Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC
Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC

7319,45 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Використання:
for medium and high power application
Вихідний струм:
8А
клас напруги:
1,7кВ