Модуль: IGBT; одиночний транзистор; одиночний транзистор

Немає в наявності
Код товару: GD300SGY120C2S
3687,92 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 12
Крок додавання: 12
Код товару: GD300SGY120C2S
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Електричний монтаж: пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.: 1,2кВ
Корпус: C2 62mm
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Структура напівпровідника: одиночний транзистор
Струм колектора: 300А
Струм колектора в імпульсі: 600А
Технологія: Advanced Trench FS IGBT
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: одиночний транзистор
IC: мікропроцесор ARM; SMD; f: 454МГц; Осердя: 32-bit
IC: мікропроцесор ARM; SMD; f: 454МГц; Осердя: 32-bit

1222,13 грн

Інтерфейс:
I2C; SPI
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Тактова частота:
454МГц
Недоступний
IC: FPGA; Число макровічок: 56340; лоток
IC: FPGA; Число макровічок: 56340; лоток

8075,28 грн

Вид упаковки:
лоток
Тип інтегральної мікросхеми:
FPGA
Число макровічок:
56340
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,7кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,7кВ

5118,48 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,7кВ
Корпус:
SEMITRANS2
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

4190,96 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS2
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 60А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 60А

6016,23 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITOP4
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А

1458,44 грн

Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
L2.2
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 600В; Ic: 50А; SEMITOP3
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 600В; Ic: 50А; SEMITOP3

3458,57 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
SEMITOP3
Модуль: IGBT; термістор NTC; Ic: 600А; інвертор; 4,05кВт
Модуль: IGBT; термістор NTC; Ic: 600А; інвертор; 4,05кВт

15435,27 грн

Використання:
інвертор
Потужність розсіювання:
4,05кВт
Струм колектора:
600А
Струм колектора в імпульсі:
1,06кА
Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC
Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC

8042,33 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Використання:
for medium and high power application
Вихідний струм:
8А
клас напруги:
1,2кВ