Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 120А; SOT227B

Name: Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 120А; SOT227B
Brand: IXYS
SKU: IXYN120N120C3
Price: 1596.56 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: IXYN120N120C3

1596,56 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 300

Крок додавання: 300

Код товару:

IXYN120N120C3

Виробник:

IXYS

Електричний монтаж:

пригвинчуваний

Зворотна напруга макс.:

1,2кВ

Корпус:

SOT227B

Механічний монтаж:

пригвинчуваний

Напруга затвор - емітер:

±20В

Потужність розсіювання:

1,2кВт

Структура напівпровідника:

одиночний транзистор

Струм колектора:

120А

Струм колектора в імпульсі:

700А

Технологія:

GenX3™; XPT™

Тип напівпровідникового модуля:

IGBT

Переглянуті товари

Недоступний

Бажані

IC: мікроконтролер STM32 ARM; 72МГц; LQFP32; 2÷3,6ВDC; -40÷85°C

258,49 грн

Вид архітектури:
Cortex M4

Властивості інтегральних мікросхем:
DMA; PdR; PoR; PVD; watchdog; операційний підсилювач

Інтерфейс:
GPIO; I2C; I2S; SPI; USART

Кількість входів/виходів:
25

Бажані

Реактор: дротяний; SMD; 10мкГн; Iробочий: 5А; ±20%; Isat: 6,7А; ферит

25,79 грн

Високосортність:
20

Висота:
8,5мм

Допуск:
±20%

Індуктивність:
10мкГн

Бажані

Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 230ВAC; DPDT; 8А; CR-P; PCB

359,86 грн

Зовнішні розміри:
29x12,7x15,7мм

Конфігурація контактів:
DPDT

Макс. струм контактів:
8А

Монтаж:
PCB

Недоступний

Бажані

Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 680мкФ; 16ВDC; ±20%

31,11 грн

Вид конденсатора:
low ESR

Висота:
10,5мм

Відповідність стандарту:
AEC-Q200

Діаметр:
10мм

Недоступний

Бажані

Діод: TVS; 1,5кВт; 122В; 7,7А; односпрямована; ±10%; DO13; 90пФ

2074,89 грн

Допуск:
±10%

Ємність:
90пФ

Зворотна напруга макс.:
110В

Корпус:
DO13

Недоступний

Бажані

Резистор: керамічний; 1кОм; THT; 1Вт; ±10%; PCF; 300В; -40÷200°C

23,00 грн

Виводи:
осьові

Діаметр:
5,5мм

Довжина:
16,5мм

Допуск:
±10%

Недоступний

Бажані

Мікроперемикач SNAP ACTION; 0,1A/125ВAC; 2A/12ВDC; SPST-NO; IP67

500,51 грн

Виводи:
проводи; справа

Властивості перемикачів:
з важелем, що симулює ролик

Довжина важеля:
16мм

Довжина відводів:
0,3м

Це може вас зацікавити

Бажані

Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А

4118,10 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика

Електричний монтаж:
Press-Fit

Зворотна напруга макс.:
1,2кВ

Корпус:
MiniSKiiP® 2

Бажані

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

20561,99 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика

Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний

Зворотна напруга макс.:
1,2кВ

Корпус:
SEMITRANS3

Бажані

Module: gate driver board; IGBT half-bridge; pin header; 1.2kV

1633,94 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT

Вихідний струм:
6А

Властивості інтегральних мікросхем:
гальванічне відокремлення; інтегрований перетворювач DC/DC

клас напруги:
1,2кВ

Бажані

Модуль: IGBT; термістор NTC; Urmax: 705В; інвертор

28132,95 грн

Використання:
інвертор

Зворотна напруга макс.:
705В

Струм колектора в імпульсі:
400А

Тип напівпровідникового модуля:
IGBT

Бажані

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

17444,90 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика

Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний

Зворотна напруга макс.:
1,2кВ

Корпус:
SEMITRANS3

Бажані

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; місток H; Urmax: 600В; Ic: 17А

1167,01 грн

Використання:
двигуни

Електричний монтаж:
THT

Зворотна напруга макс.:
0,6кВ

Корпус:
ECO-PAC 2

Бажані

Модуль: IGBT; діод/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ; SMT

537,25 грн

Електричний монтаж:
SMT

Зворотна напруга макс.:
1,2кВ

Корпус:
SMPD-B

Напруга затвор - емітер:
±20В