1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори і модулі IGBT
  5. Модулі IGBT

Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B

Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: APT35GP120J
1631,40 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT35GP120J
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид упаковки: туба
Електричний монтаж: пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.: 1,2кВ
Корпус: SOT227B
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±30В
Структура напівпровідника: одиночний транзистор
Струм колектора: 29А
Струм колектора в імпульсі: 140А
Технологія: POWER MOS 7®; PT
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; THT; 3A; 250V

293,34 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 5; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 5; SMT; 3A; 250V

40,55 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Висота:
10,1мм
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 110Ом; SMD; 3,3А; 0805; R: 0,013Ом; BLM
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 110Ом; SMD; 3,3А; 0805; R: 0,013Ом; BLM

22,17 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Імпеданс при 100МГц:
110Ом
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 1,15Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 1,15Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

20,27 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,14 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4пФ
Вимикач двигуна; 2,2кВт; 200÷440ВAC; на шину DIN; IP20; -20÷60°C
Вимикач двигуна; 2,2кВт; 200÷440ВAC; на шину DIN; IP20; -20÷60°C

3919,16 грн

Діапазон налаштування захисту:
4...6А
Електричне під'єднування:
різьбові клеми
Клас герметичності:
IP20
Монтаж:
на шину DIN
Недоступний
Резистор: thin film; 12кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2APB
Резистор: thin film; 12кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2APB

11,09 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC
Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC

8042,33 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Використання:
for medium and high power application
Вихідний струм:
8А
клас напруги:
1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

16768,90 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 600В
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 600В

4780,80 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
SEMITRANS2
Module: gate driver board; IGBT half-bridge; SKYPER®; PCB; 1.7kV
Module: gate driver board; IGBT half-bridge; SKYPER®; PCB; 1.7kV

7247,22 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Використання:
for medium and high power application
Вихідний струм:
24А
клас напруги:
1,7кВ
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

8568,18 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

17444,90 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; місток H; Urmax: 600В; Ic: 17А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; місток H; Urmax: 600В; Ic: 17А

1167,01 грн

Використання:
двигуни
Електричний монтаж:
THT
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
ECO-PAC 2