1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори і модулі IGBT
  5. Модулі IGBT

Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 76А; SOT227B

Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 76А; SOT227B
Немає в наявності
Код товару: IXYN100N120B3H1
1750,51 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IXYN100N120B3H1
Виробник: IXYS
Електричний монтаж: пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.: 1,2кВ
Корпус: SOT227B
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Потужність розсіювання: 690Вт
Структура напівпровідника: одиночний транзистор
Струм колектора: 76А
Струм колектора в імпульсі: 480А
Технологія: GenX3™; XPT™
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 150В; односпрямована; DO201AE; 1.5KE; ролик
Діод: TVS; 1,5кВт; 150В; односпрямована; DO201AE; 1.5KE; ролик

9,12 грн

Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Корпус:
DO201AE
Монтаж:
THT
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 47Ом; SMD; 0,55А; 0603; R: 0,25Ом; BLM
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 47Ом; SMD; 0,55А; 0603; R: 0,25Ом; BLM

3,79 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Імпеданс при 100МГц:
47Ом
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Кристал; 7,3728МГц; THT; 11,5x5x3,68мм; 18пФ; Стаб.част: ±30ppm
Кристал; 7,3728МГц; THT; 11,5x5x3,68мм; 18пФ; Стаб.част: ±30ppm

33,58 грн

Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
18пФ
Монтаж:
THT
Робоча температура:
-20...70°C
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 250В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 250В; C0G (NP0); ±2%; SMD

1,70 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Роз’єм: M12; термінатор; PIN: 6; штекерний; промислова; IP67
Роз’єм: M12; термінатор; PIN: 6; штекерний; промислова; IP67

738,72 грн

Alias:
MSA05L0-6p* 4-5R
Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Кількість пін:
6
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 4; ±2÷22ВDC,4÷44ВDC; DIP14
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 4; ±2÷22ВDC,4÷44ВDC; DIP14

449,82 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
прецизійний
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,2мВ
Діапазон напруги живлення:
± 2...22В DC; 4...44В DC
Недоступний
Провід; JZ-600; JZ; 12G2,5мм2; неекранований; 600В,1кВ; Cu; тросик
Провід; JZ-600; JZ; 12G2,5мм2; неекранований; 600В,1кВ; Cu; тросик

690,57 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
JZ
Module: gate driver board; SKYPER®; PCB; 1.7kV; 14.55÷15.45VDC
Module: gate driver board; SKYPER®; PCB; 1.7kV; 14.55÷15.45VDC

5929,43 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Використання:
for medium and high power application
Вихідний струм:
20А
клас напруги:
1,7кВ
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

10376,34 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

11611,77 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
AG-62MM-1
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

17924,50 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IPM; 2-pack-integrated intelligent Power System; Trench
Модуль: IPM; 2-pack-integrated intelligent Power System; Trench

123721,64 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Використання:
for medium and high power application
Вихідний струм:
1,2кА
клас напруги:
1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

3772,18 грн

Використання:
для UPS; інвертор
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
V3 62MM
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 23А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 23А

3388,88 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITOP3