Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 95А; SOT227B

Немає в наявності
Код товару: IXGN100N170
3006,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXGN100N170
Виробник: IXYS
Властивості напівпровідникових елементів: високовольтний
Електричний монтаж: пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.: 1,7кВ
Корпус: SOT227B
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Потужність розсіювання: 735Вт
Структура напівпровідника: одиночний транзистор
Струм колектора: 95А
Струм колектора в імпульсі: 600А
Технологія: NPT
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Недоступний
Провід: управління; ÖLFLEX® ROBUST FD C; 3G0,75мм2; чорний; 9,1мм
Провід: управління; ÖLFLEX® ROBUST FD C; 3G0,75мм2; чорний; 9,1мм

503,68 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид матеріалу:
негалогенний
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; -55÷155°C

0,15 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
1220
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59

6492,66 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS4
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 22А

2128,11 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
MiniSKiiP® 1
Модуль: IGBT; півмісток IGBT x3; Urmax: 3,3кВ; Ic: 1,2кА; HIPAK
Модуль: IGBT; півмісток IGBT x3; Urmax: 3,3кВ; Ic: 1,2кА; HIPAK

120962,52 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
3,3кВ
Корпус:
HIPAK
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC
Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC

7319,45 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Використання:
for medium and high power application
Вихідний струм:
8А
клас напруги:
1,7кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 150А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 150А

10282,58 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMIX®13
Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge
Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge

5307,91 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Вихідний струм:
35А
Властивості інтегральних мікросхем:
гальванічне відокремлення; інтегрований перетворювач DC/DC
клас напруги:
1,7кВ
Модуль: IGBT; термістор NTC; Ic: 101А; 234Вт
Модуль: IGBT; термістор NTC; Ic: 101А; 234Вт

3623,93 грн

Напруга затвор - емітер:
±20В
Потужність розсіювання:
234Вт
Струм колектора:
101А
Струм колектора в імпульсі:
101А