Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 600В; Ic: 140А; SOT227B

Немає в наявності
Код товару: IXYN150N60B3
1884,19 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXYN150N60B3
Виробник: IXYS
Електричний монтаж: пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.: 0,6кВ
Корпус: SOT227B
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Потужність розсіювання: 830Вт
Структура напівпровідника: одиночний транзистор
Струм колектора: 140А
Струм колектора в імпульсі: 750А
Технологія: GenX3™; XPT™
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Недоступний
Резистор: thin film; 634Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 634Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

40,55 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 25; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 25; THT; 3A; 250V

200,20 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
15,6мм
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 7кБ; 32МГц; I2C,LIN,SPI,UART,USART; SMD
IC: мікроконтролер PIC; 7кБ; 32МГц; I2C,LIN,SPI,UART,USART; SMD

131,15 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; PWM
Інтерфейс:
I2C; LIN; SPI; UART; USART
Кількість входів/виходів:
25
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 22мкФ; 25В; X7R; ±10%; 1210
Конденсатор: керамічний; 22мкФ; 25В; X7R; ±10%; 1210

13,30 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
22мкФ
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 29; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 29; THT; 3A; 100V

185,63 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Контакт; IP67; на панель,на PCB; сплав міді; Iном: 16А; Iмакс: 16А
Контакт; IP67; на панель,на PCB; сплав міді; Iном: 16А; Iмакс: 16А

464,39 грн

Клас герметичності:
IP67
Клас горючості:
UL94V-0
Максимальний струм:
16А
Матеріал контакту:
сплав міді
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 5,1В; SMD; DO213AA; 10мкА
Діод: зенера; 500мВт; 5,1В; SMD; DO213AA; 10мкА

201,47 грн

Допуск:
±1%
Зенерівська напруга:
5,1В
Корпус:
DO213AA
Монтаж:
SMD
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

10376,34 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

11611,77 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
AG-62MM-1
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

17924,50 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IPM; 2-pack-integrated intelligent Power System; Trench
Модуль: IPM; 2-pack-integrated intelligent Power System; Trench

123721,64 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Використання:
for medium and high power application
Вихідний струм:
1,2кА
клас напруги:
1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

3772,18 грн

Використання:
для UPS; інвертор
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
V3 62MM
Module: gate driver board; SKYPER®; PCB; 1.7kV; 14.55÷15.45VDC
Module: gate driver board; SKYPER®; PCB; 1.7kV; 14.55÷15.45VDC

5929,43 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Використання:
for medium and high power application
Вихідний струм:
20А
клас напруги:
1,7кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

14012,94 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3