1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори і модулі IGBT
  5. Модулі IGBT

Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 600В; Ic: 150А; ISOTOP

Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 600В; Ic: 150А; ISOTOP
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STGE200NB60S
1113,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STGE200NB60S
Виробник: STMicroelectronics
Електричний монтаж: пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.: 0,6кВ
Корпус: ISOTOP
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Потужність розсіювання: 600Вт
Структура напівпровідника: одиночний транзистор
Струм колектора: 150А
Струм колектора в імпульсі: 400А
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Роз’єм: круглі; контакт; штекерний; промислова; паяння; сплав міді
Роз’єм: круглі; контакт; штекерний; промислова; паяння; сплав міді

63,36 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Застосування - серія/виробник:
Buccaneer 400; Buccaneer 4000
Недоступний
Модуль автоматики: регулятор; температура; -1999÷9999; на панель
Модуль автоматики: регулятор; температура; -1999÷9999; на панель

28661,34 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Вид вжитого дисплея:
LCD
Вид виходу 1:
0...20мА; 4...20мА
Вид входу 2:
2 входи подій
Недоступний
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 22AWG; PTFE; фіолетовий; 250В
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 22AWG; PTFE; фіолетовий; 250В

3364,17 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; сріблена
Вид кабелю:
HookUp Wire
Відповідність стандарту:
MIL-W-16878/6 (Type ET); NEMA HP3
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 2,5А; 29Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 2,5А; 29Вт; TO220-3

41,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Недоступний
Підставка; PIN: 5; 10А; PCB; -40÷70°C; 13x30,2x13,5мм
Підставка; PIN: 5; 10А; PCB; -40÷70°C; 13x30,2x13,5мм

22,17 грн

Зовнішні розміри:
13x30,2x13,5мм
Кількість пін:
5
Монтаж:
PCB
Номінальний струм:
10А
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 256кбEEPROM; SPI; 32Кx8бит; 1,7÷5,5В; 20МГц
IC: пам'ять EEPROM; 256кбEEPROM; SPI; 32Кx8бит; 1,7÷5,5В; 20МГц

15,21 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
WLCSP8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 33пФ; 100В; ±1%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 33пФ; 100В; ±1%; SMD; 0603

1,38 грн

Допуск:
±1%
Ємність:
33пФ
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

2249,12 грн

Використання:
для UPS; інвертор
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
V1
Module: gate driver board; IGBT half-bridge; SCALE™-2; 1.7kV
Module: gate driver board; IGBT half-bridge; SCALE™-2; 1.7kV

4664,86 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Вихідний струм:
8...15А
Властивості інтегральних мікросхем:
гальванічне відокремлення; інтегрований перетворювач DC/DC
клас напруги:
1,7кВ
Модуль: IGBT; термістор NTC; Urmax: 1,2кВ; Ic: 900А; THT
Модуль: IGBT; термістор NTC; Urmax: 1,2кВ; Ic: 900А; THT

12340,99 грн

Електричний монтаж:
THT
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Струм колектора:
900А
Струм колектора в імпульсі:
900А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

8874,82 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC
Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC

7460,10 грн

Вид виходу:
драйвер MOSFET
Використання:
for medium and high power application
Вихідний струм:
8А
клас напруги:
1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

14823,89 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 75А; SOT227B
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 75А; SOT227B

5053,22 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,7кВ
Корпус:
SOT227B