1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори і модулі IGBT
  5. Модулі IGBT

Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 600В; Ic: 150А; ISOTOP

Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 600В; Ic: 150А; ISOTOP
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STGE200NB60S
1113,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STGE200NB60S
Виробник: STMicroelectronics
Електричний монтаж: пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.: 0,6кВ
Корпус: ISOTOP
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Потужність розсіювання: 600Вт
Структура напівпровідника: одиночний транзистор
Струм колектора: 150А
Струм колектора в імпульсі: 400А
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Недоступний
Амперметр; на панель; I AC: 0÷800А; True RMS; Клас: 1,5; 40÷72Гц
Амперметр; на панель; I AC: 0÷800А; True RMS; Клас: 1,5; 40÷72Гц

1694,12 грн

Вимір:
струму AC
Вимірювання дійсної ефективної величини:
True RMS
Властивості вимірювальних приладів:
поділка 0..100%
Властивості шкали:
робоче положення 90°
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 120МГц; ADC,I2C,I2S,SPI,UART,USB; SMD
IC: мікроконтролер PIC; 120МГц; ADC,I2C,I2S,SPI,UART,USB; SMD

424,48 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
DMA; POR
Інтерфейс:
ADC; I2C; I2S; SPI; UART; USB
Кількість входів/виходів:
48
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; THT; 1.5A

50,05 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
2,5мм
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; прямий; 2м; вилка; 250ВAC
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; прямий; 2м; вилка; 250ВAC

492,90 грн

Довжина кабелю:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP69K
Недоступний
Pliers: insulated; side,cutting; hardened steel
Pliers: insulated; side,cutting; hardened steel

3675,88 грн

Type of pliers:
ізольовані
Вид щипці:
бічне; для різання
Відповідність стандарту:
ASTM-F 1505-94; IEC 60900
Властивості кусачок/ножів:
руків'я з пластмасовими насадками
Недоступний
Резистор: thin film; 33,2кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм
Резистор: thin film; 33,2кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм

40,55 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 128бEEPROM; I2C; 16x8бит; 4,5÷5,5В; 100кГц
IC: пам'ять EEPROM; 128бEEPROM; I2C; 16x8бит; 4,5÷5,5В; 100кГц

21,35 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
I2C
Кількість циклів макс.:
1м
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

5052,59 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS2
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 27А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 27А

9315,77 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS6
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 93А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 93А

8235,57 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
MiniSKiiP® 3
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 21А; SOT227B
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 21А; SOT227B

1927,27 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,7кВ
Корпус:
SOT227B
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,7кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,7кВ

9961,37 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,7кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

2677,40 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITOP3
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; SOT227B
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; SOT227B

2431,58 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SOT227B