Модуль: IGBT; термістор NTC; Ic: 150А; інвертор; Field Stop,Trench

Немає в наявності
Код товару: FP150R12N3T7B11BPSA1
8908,84 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10
Крок додавання: 10
Код товару: FP150R12N3T7B11BPSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Використання: інвертор
Напруга затвор - емітер: ±20В
Струм колектора: 150А
Технологія: Field Stop; Trench
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: термістор NTC
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 15ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 400мА; SMT8
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 15ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 400мА; SMT8

288,24 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
0,4А
Вхідна напруга:
15В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 1500нФ; 310ВAC; 630ВDC; 37,5мм; ±20%
Конденсатор: поліестровий; 1500нФ; 310ВAC; 630ВDC; 37,5мм; ±20%

213,49 грн

Вид конденсатора:
X2
Допуск:
±20%
Ємність:
1,5мкФ
Монтаж:
THT
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT,термістор
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT,термістор

20670,94 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
Press-Fit; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMiX® 3p
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

2241,94 грн

Використання:
для UPS; інвертор
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
V1
Module: gate driver board; IGBT half-bridge; SCALE™-2; 1.7kV
Module: gate driver board; IGBT half-bridge; SCALE™-2; 1.7kV

4664,42 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Вихідний струм:
8...15А
Властивості інтегральних мікросхем:
гальванічне відокремлення; інтегрований перетворювач DC/DC
клас напруги:
1,7кВ
Модуль: IGBT; термістор NTC; Urmax: 1,2кВ; Ic: 900А; THT
Модуль: IGBT; термістор NTC; Urmax: 1,2кВ; Ic: 900А; THT

12301,84 грн

Електричний монтаж:
THT
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Струм колектора:
900А
Струм колектора в імпульсі:
900А
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; діод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ

8874,63 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3
Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC
Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.2kV; 14.4÷15.6VDC

7460,04 грн

Вид виходу:
драйвер MOSFET
Використання:
for medium and high power application
Вихідний струм:
8А
клас напруги:
1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

14823,78 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS3