1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори і модулі IGBT
  5. Модулі IGBT

Модуль: IGBT; термістор NTC; Ic: 200А; AG-ECONO3-4; інвертор; 600Вт

Модуль: IGBT; термістор NTC; Ic: 200А; AG-ECONO3-4; інвертор; 600Вт
Немає в наявності
Код товару: FS200R06KE3BOSA1
5418,79 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10
Крок додавання: 10
Код товару: FS200R06KE3BOSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Використання: інвертор
Корпус: AG-ECONO3-4
Механічний монтаж: пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер: ±20В
Потужність розсіювання: 600Вт
Струм колектора: 200А
Струм колектора в імпульсі: 400А
Технологія: Field Stop; Trench
Тип напівпровідникового модуля: IGBT
Топологія: термістор NTC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,5пФ; 500В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,5пФ; 500В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

38,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,5пФ
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 21,6÷26,4ВDC; Uвих: 9ВDC; SIP7; THT
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 21,6÷26,4ВDC; Uвих: 9ВDC; SIP7; THT

566,40 грн

Вихідна напруга:
9В DC
Вхідна напруга:
21,6...26,4В DC
Кількість виходів:
1
ККД:
81%
Конденсатор: керамічний; 360пФ; 100ВDC; BP
Конденсатор: керамічний; 360пФ; 100ВDC; BP

205,27 грн

Діелектрик:
BP
Ємність:
0,36нФ
Робоча напруга:
100В DC
Тип конденсатора:
керамічний
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 2.3mm; CuBe; Blade tip shape: cone; 2.5N
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 2.3mm; CuBe; Blade tip shape: cone; 2.5N

293,97 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
3,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні; самоочищення
Діаметр наконечника:
2,3мм
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 75В; SMD; 50нА
Діод: зенера; 500мВт; 75В; SMD; 50нА

759,00 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
75В
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 180пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 180пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,28 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 6,3В; X7R; ±20%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 6,3В; X7R; ±20%; SMD; 1210

16,03 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

5052,59 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS2
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 50А
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазний міст IGBT; Ic: 50А

15565,15 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS6
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

7032,45 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS2
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

6731,51 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
AG-62MM-1
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ

3418,02 грн

Використання:
для UPS; інвертор; фотоелектрика
Електричний монтаж:
конектори FASTON; пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
SEMITRANS2
Модуль: IGBT; півмісток IGBT x3; Urmax: 3,3кВ; Ic: 1,2кА; HIPAK
Модуль: IGBT; півмісток IGBT x3; Urmax: 3,3кВ; Ic: 1,2кА; HIPAK

120962,52 грн

Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
3,3кВ
Корпус:
HIPAK
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC
Module: gate driver board; SEMIDRIVER; PCB; 1.7kV; 14.4÷15.6VDC

7319,45 грн

Вид виходу:
драйвер IGBT
Використання:
for medium and high power application
Вихідний струм:
8А
клас напруги:
1,7кВ